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半導体装置の製造方法 コモンズ

国内特許コード P130009777
掲載日 2013年8月9日
出願番号 特願2012-185660
公開番号 特開2014-045024
出願日 平成24年8月24日(2012.8.24)
公開日 平成26年3月13日(2014.3.13)
発明者
  • 原 紳介
  • 藤代 博記
  • 三木 裕文
  • 色川 勝己
出願人
  • 学校法人東京理科大学
発明の名称 半導体装置の製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】高密度に量子ドットを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶基板上にGa等のIII族元素層を形成する工程と、その後、Ga等のIII族元素およびSb等のV族元素を照射してIII族元素層が形成された半導体単結晶基板上にGaSb等のIII―V族量子ドットを形成する工程と、を備える。
【選択図】なし
従来技術、競合技術の概要



半導体単結晶基板上にGaSb等の量子ドットを形成する研究が盛んに行われている(特許文献1参照)。しかしながら、従来は形成される量子ドットの密度が小さく、より高密度に量子ドットを形成できる方法が望まれていた。

産業上の利用分野



本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、量子ドットを備える半導体装置の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
半導体単結晶基板上にIII族元素層を形成する工程と、
その後、III族元素およびV族元素を照射して前記III族元素層が形成された半導体単結晶基板上にIII―V族量子ドットを形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。

【請求項2】
前記III族元素はGaであり、前記V族元素はSbである請求項1記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】
前記半導体単結晶基板はSi基板である請求項2記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】
前記量子ドットを形成する面は(111)面である請求項3記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】
前記Ga層は1/3原子層形成する請求項4記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】
前記Ga層は√3×√3構造である請求項4記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】
量子ドットを形成する工程は、350℃以上、400℃以下の温度で行う請求項4~6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 公開
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