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転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型 コモンズ

国内特許コード P130009830
掲載日 2013年8月13日
出願番号 特願2009-206479
公開番号 特開2010-087500
登録番号 特許第5419040号
出願日 平成21年9月7日(2009.9.7)
公開日 平成22年4月15日(2010.4.15)
登録日 平成25年11月29日(2013.11.29)
優先権データ
  • 特願2008-228937 (2008.9.5) JP
発明者
  • 谷口 淳
  • 好野 則夫
出願人
  • 学校法人東京理科大学
発明の名称 転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型 コモンズ
発明の概要

【課題】微細パターンを破壊せずに被転写材料と母型との剥離を容易に行うことができ、母型の転写パターンが被転写材料に良好に転写され、しかも繰り返しの転写において母型の耐久性を長期間にわたって維持して転写構造体を製造する方法およびそれに用いる母型を提供する。
【解決手段】表面に転写パターンが形成された母型の表面に下記(I)で表されるシランカップリング剤の膜を形成し、被転写材料を付与して母型の表面のパターンを転写させ、被転写材料を母型から剥離させて被転写材料からなる転写構造体を得る。式(I)中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立してメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す加水分解性基である。


【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


ガラスや樹脂等の基板上にμmオーダー、あるいはnmオーダーの微細な配線パターンを形成する方法の一つとして、形成すべき微細なパターンに対応した型(原版)を用いて転写を行う方法がある。
例えば、ガラス基板上に導電性膜を形成し、導電性膜上にフォトレジストで所定のパターンを形成した後、導電性膜が露出する部分にめっき膜を形成し、さらにそのめっき膜にベースフィルムを貼り合わせてめっき膜を転写させる方法が開示されている(特許文献1参照)。

産業上の利用分野


本発明は、転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
表面に転写パターンが形成された母型の表面に、下記一般式(I)で表されるビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤を含む液を塗布した後に、加熱処理を行い、該加熱処理の前又は後に、前記シランカップリング剤を含む液が塗布された前記母型の表面をリンスして前記シランカップリング剤の膜を形成する工程と、
前記シランカップリング剤の膜が形成された母型の表面に被転写材料を付与して前記母型の表面のパターンを転写させる工程と、
前記被転写材料を前記母型から剥離させて前記被転写材料からなる転写構造体を得る工程と、
を含むことを特徴とする転写構造体の製造方法。
【化学式1】
(式(I)中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す加水分解性基である。)
【請求項2】
前記一般式(I)において、nが10、12又は14であることを特徴とする請求項1に記載の転写構造体の製造方法。
【請求項3】
前記一般式(I)において、X、Y、Zが全て同じであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の転写構造体の製造方法。
【請求項4】
前記一般式(I)において、mが3で、X、Y、Zが全てメトキシ基であることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
【請求項5】
前記シランカップリング剤の膜を形成する工程の前工程として、前記表面に転写パターンが形成された母型を用意する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
【請求項6】
前記母型の表面に形成された転写パターンが、高さが1μm未満であり、アスペクト比が2以上の微細な突起群を含むパターンであることを特徴とする請求項1~請求項のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
【請求項7】
前記母型が、ガラス状炭素の基材からなり、該基材の表面に、先端に向けて縮径する形状を有する微細な突起群からなる転写パターンが形成されていることを特徴とする請求項1~請求項のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
【請求項8】
請求項1~請求項のいずれか一項に記載の方法によって製造される転写構造体。
【請求項9】
表面に高さが1μm未満であり、アスペクト比が2以上の微細な突起群を含む転写パターンが形成された母型であって、該転写パターンが形成されている表面に下記一般式(I)で表されるビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤の膜が形成されている母型。
【化学式2】
(式中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ハロゲン原子を表す加水分解性基である。)
【請求項10】
前記一般式(I)において、mが3でX、Y、Zが全てメトキシ基であることを特徴とする請求項に記載の母型。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2009206479thum.jpg
出願権利状態 登録
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