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固体電子装置 新技術説明会

国内特許コード P130009943
整理番号 E086P42WO
掲載日 2013年9月30日
出願番号 特願2012-551406
登録番号 特許第5278717号
出願日 平成24年10月25日(2012.10.25)
登録日 平成25年5月31日(2013.5.31)
国際出願番号 JP2012077624
国際公開番号 WO2013069471
国際出願日 平成24年10月25日(2012.10.25)
国際公開日 平成25年5月16日(2013.5.16)
優先権データ
  • 特願2011-245916 (2011.11.9) JP
発明者
  • 下田 達也
  • ▲徳▼光 永輔
  • 尾上 允敏
  • 宮迫 毅明
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 固体電子装置 新技術説明会
発明の概要 本発明の1つの固体電子装置は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び/又はβ-BiNbO型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が1.5atm%以下である。
従来技術、競合技術の概要


従来から、固体電子装置においては、高速動作の期待できる強誘電体薄膜を備えた装置が開発されている。固体電子装置に用いる誘電体材料として、金属酸化物が現在盛んに開発されているが、Pbを含まず、比較的低温で焼成可能な誘電セラミックスとして、BiNbOが挙げられる。このBiNbOについては、固相成長法によって形成されたBiNbOの誘電特性が報告されている(非特許文献1)。

産業上の利用分野


本発明は、固体電子装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、
前記酸化物層が、(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)Oと略同じ構造であるパイロクロア型結晶構造の結晶相を有し、
前記酸化物層中の炭素含有率が1.5atm%以下である、
キャパシタ。
産業区分
  • 電子部品
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2012551406thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO 下田ナノ液体プロセス 領域
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