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金属めっき方法 コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P130009947
掲載日 2013年10月2日
出願番号 特願2012-034465
公開番号 特開2013-170293
登録番号 特許第5944686号
出願日 平成24年2月20日(2012.2.20)
公開日 平成25年9月2日(2013.9.2)
登録日 平成28年6月3日(2016.6.3)
発明者
  • 山本 陽二郎
  • 長岡 勉
  • 椎木 弘
出願人
  • グリーンケム株式会社
  • 公立大学法人大阪府立大学
発明の名称 金属めっき方法 コモンズ 新技術説明会
発明の概要 【課題】 金属めっき層を薄くしても、被覆状態が良好な金属めっき物を作製できる金属めっき方法を提供する。
【解決手段】 金属化合物を含有する水溶液に無機系還元剤が添加されて得られた第一めっき浴を準備する準備工程と、有機バインダを添加した第一めっき浴中に被対象物を浸漬することにより、無電解法により被対象物表面にめっきを施すことで、一次めっき物を作製する一次めっき工程と、前記一次めっき物を第二めっき浴中に浸漬することにより、無電解法により一次めっき物表面に再めっきを施すことで、金属めっき物を作製する二次めっき工程とを含み、前記有機バインダは、前記被対象物と結合し得る部位と、チオール基又はジスルフィド基とを有するようにする。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


近年、各種電子機器の急激な小型化に伴い配線技術の微細化が要求されている。この微細化の手段として、フォトリソグラフィによる微細配線形成、ビルドアップ配線、異方性導電性膜の使用等が検討されている。例えば、異方性導電性膜は、導電性の微粒子を分散させた膜であり、液晶表示装置(LCD)や集積回路(IC)等において、基板電極とチップの電極との接着剤として用いられる。すなわち、異方性導電性膜をプリント基板とチップとの間に挟みこみ、基板とチップとを圧着することにより、導電性の微粒子が基板電極とチップの電極との間に挟みこまれてこれらの電極間を接続する。



このような異方性導電性膜に用いられる導電性の微粒子としては、様々な種類のものが提案されている。代表的なものとして、プラスチック微粒子を無電解めっき法により金属めっきして得られる金属めっき微粒子が知られている。しかしながら、多くの無電解めっき法は、エッチング工程、感応化処理工程、触媒化処理工程、無電解めっき工程等の多段工程を必要とする方法であって、コストがかかり、多大なエネルギーを必要とする。さらに、クロム酸、シアン化合物、強アルカリ等の多くの有害物質を用いるため、環境に対する負荷も懸念される。



そこで、プラスチックと化学結合等により結合し得る部位と、金属微粒子と吸着等により結合し得る部位とを有する有機バインダと、金属コロイドとを含有する溶液をめっき浴とし、そのめっき浴でプラスチックを無電解めっきする方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、金粒子とクエン酸(分散剤)と水とを含有するめっき浴中にプラスチック微粒子(被対象物)を浸漬した後、有機バインダを添加して室温で攪拌又は静置することで、100nm程度の金めっき層をプラスチック微粒子表面に形成している。
さらに、このようして作製された金めっきプラスチック微粒子を再めっきすることにより、導電性の優れた導電性微粒子を実現する手法が開示されている(例えば、特許文献2参照)。

産業上の利用分野


本発明は、金属めっき方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
金属化合物を含有する水溶液に無機系還元剤が添加されて得られた第一めっき浴を準備する準備工程と、
有機バインダを添加した第一めっき浴中に被対象物を浸漬することにより、無電解法により被対象物表面にめっきを施すことで、一次めっき物を作製する一次めっき工程と、
前記一次めっき物を第二めっき浴中に浸漬することにより、無電解法により一次めっき物表面に再めっきを施すことで、金属めっき物を作製する二次めっき工程とを含み、
前記有機バインダは、前記被対象物と結合し得る部位と、チオール基又はジスルフィド基とを有することを特徴とする金属めっき方法。

【請求項2】
金属化合物を含有する水溶液に無機系還元剤が添加されて得られた第一めっき浴を準備する準備工程と、
チオール基又はジスルフィド基を有する被対象物を第一めっき浴中に浸漬することにより、無電解法により被対象物表面にめっきを施すことで、一次めっき物を作製する一次めっき工程と、
前記一次めっき物を第二めっき浴中に浸漬することにより、無電解法により一次めっき物表面に再めっきを施すことで、金属めっき物を作製する二次めっき工程とを含むことを特徴とする金属めっき方法。

【請求項3】
前記第二めっき浴は、金属化合物を含有する水溶液に無機系還元剤と分散剤とが添加されて得られたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の金属めっき方法。

【請求項4】
前記一次めっき工程及び二次めっき工程は、室温で行うことを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の金属めっき方法。

【請求項5】
前記金属は、金又は銀であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の金属めっき方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2012034465thum.jpg
出願権利状態 登録
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