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AZO成膜用ターゲットおよびその製造方法

国内特許コード P130009961
整理番号 23‐17
掲載日 2013年10月3日
出願番号 特願2012-035761
公開番号 特開2013-170302
出願日 平成24年2月22日(2012.2.22)
公開日 平成25年9月2日(2013.9.2)
発明者
  • 北川 裕之
  • 山田 容士
  • 久保 衆伍
出願人
  • 国立大学法人島根大学
発明の名称 AZO成膜用ターゲットおよびその製造方法
発明の概要

【課題】マグネトロンスパッタリングにおいてエロージョンを低減するターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリングによりAZOを成膜するためのターゲットであって、ZnO粉末とAl粉末を、ZnO-xmol%Al(2≦x≦7)となるように混合して非酸化性雰囲気で加圧焼結したことを特徴とするターゲットである。また、マグネトロンスパッタリングによりAZOを成膜するためのターゲットの製造方法であって、ZnO粉末とAl粉末を、ZnO-xmol%Al(2≦x≦7)となるように混合し、次いで非酸化性雰囲気で上記混合粉末を加圧焼結することを特徴とするターゲット製造方法である。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


従来、透明導電薄膜用材料としてITO(Sn-doped In)がよく用いられているが、Inがレアメタルであり、近年価格も高騰し、資源枯渇の懸念からも、ITO代替材料の研究が進んでいる。



その有力な候補としてAZO(Al-doped ZnO)が挙げられ、電気抵抗率、耐熱性といった膜特性は実用レベルに達しつつある。



しかしながら、従来の技術では以下の問題点があった。
AZOは、透明導電薄膜として工業的に製造する場合には、スパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングにより成膜される。このとき、ターゲットには、ZnO粉末とAl粉末の混合物が用いられるが、このターゲットを用いると、エロージョンが生じるという問題点があった。



すなわち、ターゲットに対向した基板上にAZOが成膜されていくが、マグネトロンスパッタリングの場合は、基板裏面側の印加磁場の影響により、基板中心から所定領域においてAZOの膜抵抗が一桁上昇してしまうという問題点があった。

産業上の利用分野


本発明は、AZO成膜用ターゲットおよびその製造方法に関し、特に、マグネトロンスパッタによりAZO透明導電膜を成膜する際のエロージョンを低減するターゲットおよびその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
マグネトロンスパッタリングによりAZOを成膜するためのターゲットであって、
ZnO粉末とAl粉末を、ZnO-xmol%Al(2≦x≦7)となるように混合して非酸化性雰囲気で加圧焼結したことを特徴とするターゲット。

【請求項2】
マグネトロンスパッタリングによりAZOを成膜するためのターゲットの製造方法であって、
ZnO粉末とAl粉末を、ZnO-xmol%Al(2≦x≦7)となるように混合し、
次いで非酸化性雰囲気で上記混合粉末を加圧焼結することを特徴とするターゲット製造方法。

【請求項3】
焼結がパルス通電焼結によることを特徴とする請求項2に記載のターゲット製造方法。

産業区分
  • 表面処理
  • 窯業
  • 電線ケーブル
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2012035761thum.jpg
出願権利状態 審査請求前
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