TOP > 国内特許検索 > 酸化物の製造方法

酸化物の製造方法

国内特許コード P130010028
整理番号 S2012-0649-N0
掲載日 2013年11月6日
出願番号 特願2012-094458
公開番号 特開2013-220980
出願日 平成24年4月18日(2012.4.18)
公開日 平成25年10月28日(2013.10.28)
発明者
  • 高口 豊
  • 田嶋 智之
  • 大澤 侑史
  • 和田 卓聡
出願人
  • 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 酸化物の製造方法
発明の概要 【課題】
本発明は、簡便に微細構造を付与した構造体を提供することにある。
【解決手段】
本発明の酸化物の製造方法は、カルボン酸、第1級アミン、第2級アミン、水酸基、カルボン酸塩から選択される少なくとも1種の官能基が、カーボンナノチューブと分子間相互作用を持つフラーレン、ピレン、ポルフィリンから選択される少なくとも1種の骨格に結合した化合物の水溶液と、単層ナノチューブ、多層カーボンナノチューブから選択される少なくとも1つのカーボンナノチューブとの混合液に、スズ、チタン、アルミ、ケイ素、マグネシウム、ジルコニウムから選択される少なくとも1種の金属アルコキシドを滴下して、酸化物を製造することを特徴とする。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


昨今、電子素子の半導体材料として様々な無機半導体が用いられている。半導体材料の構造は、その性能を大きく左右させるため、現在までに、色素増感太陽電池や廃棄ガス浄化のための光触媒などの分野で、さまざまな微細構造を構築させる技術が研究されている。



特に、色素増感太陽電池では、電極部分での表面積をかせぐために、電極表面を凹凸形状とする微細構造を構築することが行われている。



その多くは物理的に鋳型を用いる手法や、マスク処理によって微細構造を構築させる技術が多い。例えば、ハニカム状多孔質フィルムを鋳型とし、無電解めっきや電界めっきにより、鋳型の構造を反映した微細構造の半導体を提供する技術、半導体の表面をエッチング等によってパターン化する技術が知られており、電子素子材料としての応用を指向した利用研究が行われている。(特許文献1)。



【特許文献1】
特開2005-59125号公報

産業上の利用分野


本発明は、酸化物の製造方法に関し、特に微細構造を有する酸化物の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
カルボン酸、第1級アミン、第2級アミン、水酸基、カルボン酸塩から選択される少なくとも1種の官能基が、カーボンナノチューブと分子間相互作用を持つフラーレン、ピレン、ポルフィリンから選択される少なくとも1種の骨格に結合した化合物の水溶液と、単層ナノチューブ、多層カーボンナノチューブから選択される少なくとも1つのカーボンナノチューブとの混合液に、スズ、チタン、アルミ、ケイ素、マグネシウム、ジルコニウムから選択される少なくとも1種の金属を含む金属アルコキシドを滴下して、酸化物を製造することを特徴とする酸化物の製造方法。

【請求項2】
前記化合物が、フラロデンドロンである請求項1記載の方法。

【請求項3】
前記混合液が超音波処理されている請求項1又は2項に記載の方法。

【請求項4】
前記混合液を遠心分離し、前記混合液の上清に、スズ、チタン、アルミ、ケイ素、マグネシウム、ジルコニウムから選択される少なくとも1種の金属を含む金属アルコキシドを滴下して、酸化物を製造する請求項1~3項のいずれか1項に記載の方法。

【請求項5】
前記金属アルコキシドが、R’nSn(OR)4-n、Ti(OR)4、Al(OR)3、R’nSi(OR)4-n、Mg(OR)2、又はZr(OR)4(但し、Rはアルキル基、R’は官能基を示す。)から選択されることを特徴とする請求項1~4項のいずれか1項に記載の方法。

【請求項6】
請求項1~5項のいずれか1項に記載の方法により得られる酸化物。

【請求項7】
前記酸化物が、ハニカム構造である請求項6記載の酸化物。

【請求項8】
前記酸化物が細孔を有する請求項6又は7項に記載の酸化物。

【請求項9】
前記細孔の大きさが、200~400nmである請求項6~8項のいずれか1項に記載の酸化物。

【請求項10】
請求項6~9項のいずれか1項に記載の酸化物からなる半導体材料。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2012094458thum.jpg
出願権利状態 公開
特許内容に関しての問い合せ窓口は岡山大学連携機構知的財産部門です。

技術移転に関しては岡山TLOが窓口になります。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close