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ナフトビスチアジアゾール誘導体

国内特許コード P130010062
整理番号 S2012-0249-N0
掲載日 2013年11月21日
出願番号 特願2012-101625
公開番号 特開2013-227260
登録番号 特許第6057364号
出願日 平成24年4月26日(2012.4.26)
公開日 平成25年11月7日(2013.11.7)
登録日 平成28年12月16日(2016.12.16)
発明者
  • 瀧宮 和男
  • 尾坂 格
  • 川島 和彰
出願人
  • 国立大学法人広島大学
  • 三協化成株式会社
発明の名称 ナフトビスチアジアゾール誘導体
発明の概要 【課題】種々のナフトビスチアジアゾール骨格を有する有機半導体材料への展開が可能な汎用性に優れるナフトビスチアジアゾール誘導体を提供する。
【解決手段】ナフトビスチアジアゾール誘導体は式1で表される。式1中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。ナフトビスチアジアゾール誘導体は有機ホウ素化合物であり、鈴木・宮浦カップリング法などによって多用な化合物への変換が可能で、複雑な化合物の前駆体として利用できる。したがって、ナフトビスチアジアゾール誘導体を基に、種々の有機半導体材料等に有用な低分子化合物や高分子化合物の研究、開発、実用化を図ることが可能である。



【選択図】なし
従来技術、競合技術の概要


種々の有機半導体材料の研究、開発、実用化が進められており、ナフトビスチアジアゾール骨格を有する有機半導体材料が有望視されている。非特許文献1では、ナフトビスチアジアゾール骨格を有する高分子化合物及びその合成方法が開示されている。

産業上の利用分野


本発明は、ナフトビスチアジアゾール誘導体に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下記一般式(1)で表されるナフトビスチアジアゾール誘導体と複素芳香族環または芳香族環を有するハロゲン化物とを反応させ、ナフトビスチアジアゾール骨格を有する化合物を合成する方法。
一般式(1)


(式(1)中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。)

【請求項2】
ハロゲン化物との反応に用いられるナフトビスチアジアゾール誘導体であって、
下記一般式(1)で表されることを特徴とするナフトビスチアジアゾール誘導体。
一般式(1)


(式(1)中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。)

【請求項3】
下記一般式(1)で表されることを特徴とするナフトビスチアジアゾール誘導体。
一般式(1)


(式(1)中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。)
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 登録


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