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ハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ コモンズ

国内特許コード P130010180
整理番号 N13018
掲載日 2013年12月25日
出願番号 特願2013-180326
公開番号 特開2015-050290
出願日 平成25年8月30日(2013.8.30)
公開日 平成27年3月16日(2015.3.16)
発明者
  • 佐藤 敏郎
  • 曽根原 誠
出願人
  • 国立大学法人信州大学
発明の名称 ハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ コモンズ
発明の概要 【課題】高周波領域における特性が優れたハイブリッド磁心装荷パワーインダクタを提供する。
【解決手段】ハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ10は、基板1と、基板上に形成された第1の磁性層3と、第1の磁性層上に形成された導電パターン5と、少なくとも導電パターンの上面及び側面を覆い、基板に水平な方向の磁気特性と基板に垂直な方向の磁気特性とがほぼ等しい第2の磁性層6と、を有することを特徴とする。
【選択図】図2
従来技術、競合技術の概要



LSI等の電子機器には電源電圧を変換するために多数のDC-DCコンバータが用いられている。特にLSI用のDC-DCコンバータでは、1[A]以上の大電流に対応することが要求されている。しかしながら、配線に大電流を流すと、配線における損失が大きくなるという問題がある。そこで、低損失・高効率なDC-DCコンバータを実現するため、LSIパッケージの内部にDC-DCコンバータを集積化する手法が提案されている。





DC-DCコンバータの中でも特に重要な電子部品として、パワーインダクタの開発が急務になっている。パッケージ内に集積するために、インダクタの形状として必然的に平面スパイラル構造が採用される。しかし、平面スパイラル構造を採用した場合、インダクタの導電パターンからインダクタの上面および下面に生じるスイッチングによるクロストークノイズが問題になる。さらに、配線の近傍に導体が存在すると誘導現象が生じ、LSIの誤動作が生じるため、配線を磁性体によってシールドする必要がある。そこでノイズ抑制とインダクタンス特性の向上のために、導電パターンの周囲を磁性体で覆う方法が提案されている(例えば、特許文献1)。

産業上の利用分野



本発明は、ハイブリッド磁心装荷パワーインダクタに関し、特に基板上に形成された導電パターンを磁性層で覆ったハイブリッド磁心装荷パワーインダクタに関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
基板と、
前記基板上に形成された第1の磁性層と、
前記第1の磁性層上に形成された導電パターンと、
少なくとも前記導電パターンの上面及び側面を覆い、前記基板に水平な方向の磁気特性と前記基板に垂直な方向の磁気特性とがほぼ等しい第2の磁性層と、
を有することを特徴とするハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ。

【請求項2】
前記第2の磁性層は、誘電体と、該誘電体内に分散した磁性微粒子と、を含む、請求項1に記載のハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ。

【請求項3】
前記磁性微粒子の径は隣接する導電パターンの間隔よりも小さい、請求項2に記載のハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ。

【請求項4】
前記第1の磁性層はZn-Feフェライトである、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ。

【請求項5】
前記第1の磁性層の上側表面及び下側表面の少なくとも一方は平坦である、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のハイブリッド磁心装荷パワーインダクタ。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2013180326thum.jpg
出願権利状態 公開
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