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半導体基板の処理方法及び半導体基板処理装置

国内特許コード P140010229
整理番号 S2012-0437-N0
掲載日 2014年1月27日
出願番号 特願2013-028611
公開番号 特開2013-201426
出願日 平成25年2月18日(2013.2.18)
公開日 平成25年10月3日(2013.10.3)
優先権データ
  • 特願2012-034288 (2012.2.20) JP
発明者
  • 鮫島 俊之
出願人
  • 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 半導体基板の処理方法及び半導体基板処理装置
発明の概要 【課題】 半導体基板の少数キャリヤの実効ライフタイムを安定的に向上させることが可能な、半導体基板の処理方法及び半導体基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 半導体基板10の表面10a及び裏面10bのそれぞれに、所定の周波数の電磁波を透過する性質を有し半導体基板10よりも熱伝導性の低い材料から構成される部材20a、20bを接触させ、2つの部材20a、20bに挟まれた半導体基板10に対して、前記所定の周波数の電磁波を所定時間照射する。前記所定の周波数の電磁波は、周波数が10MHz~1THzの電磁波である。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要



ソーラーセル、CCDフォトセンサ等の光誘起キャリヤを有効に利用する半導体デバイス製造においては、半導体基板のバルクライフタイムを大きくするとともに、少数キャリヤの実効ライフタイムを増大せしめることが重要である。従来、p型シリコン基板に対してマイクロ波を所定時間照射する加熱処理を行うことで、当該p型シリコン基板の少数キャリヤの実効ライフタイムが向上することが報告されている(非特許文献1参照)。

産業上の利用分野



本発明は、半導体基板の少数キャリヤの実効ライフタイムを制御する半導体基板の処理方法及び半導体基板処理装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
半導体基板の少数キャリヤの実効ライフタイムを制御する半導体基板の処理方法において、
前記半導体基板の表面及び裏面のそれぞれに、所定の周波数の電磁波を透過する性質を有し前記半導体基板よりも熱伝導性の低い材料から構成される部材を接触させ、
前記2つの部材に挟まれた前記半導体基板に対して、前記所定の周波数の電磁波を所定時間照射し、
前記所定の周波数の電磁波は、周波数が10MHz~1THzの電磁波である、半導体基板の処理方法。

【請求項2】
請求項1において、
前記所定の周波数の電磁波は、マイクロ波である、半導体基板の処理方法。

【請求項3】
請求項1又は2において、
前記部材は、SiOを主成分とするガラス、セラミック、アルミナ及びサファイアのいずれか1つから構成される部材である、半導体基板の処理方法。

【請求項4】
請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記半導体基板は、結晶性半導体基板である、半導体基板の処理方法。

【請求項5】
請求項4において、
前記結晶性半導体基板は、結晶性シリコン基板である、半導体基板の処理方法。

【請求項6】
請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記2つの部材に挟まれた前記半導体基板に対して、前記所定の周波数の電磁波を照射して前記半導体基板を800℃未満に加熱する、半導体基板の処理方法。

【請求項7】
半導体基板の少数キャリヤの実効ライフタイムを制御する半導体基板処理装置において、
前記半導体基板の表面及び裏面のそれぞれに接触させる部材と、
前記2つの部材に挟まれた前記半導体基板に対して、所定の周波数の電磁波を照射する電磁波発生部とを含み、
前記部材は、前記所定の周波数の電磁波を透過する性質を有し前記半導体基板よりも熱伝導性の低い材料から構成される部材であり、
前記所定の周波数の電磁波は、周波数が10MHz~1THzの電磁波である、半導体基板処理装置。

【請求項8】
請求項7において、
前記所定の周波数の電磁波は、マイクロ波である、半導体基板処理装置。

【請求項9】
請求項7又は8において、
前記部材は、SiOを主成分とするガラス、セラミック、アルミナ及びサファイアのいずれか1つから構成される部材である、半導体基板処理装置。

【請求項10】
請求項7乃至9のいずれかにおいて、
前記半導体基板は、結晶性半導体基板である、半導体基板処理装置。

【請求項11】
請求項10において、
前記結晶性半導体基板は、結晶性シリコン基板である、半導体基板処理装置。

【請求項12】
請求項7乃至11のいずれかにおいて、
前記電磁波発生部は、
前記2つの部材に挟まれた前記半導体基板に対して、前記所定の周波数の電磁波を照射して前記半導体基板を800℃未満に加熱する、半導体基板処理装置。
国際特許分類(IPC)
画像

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出願権利状態 公開
※ 国立大学法人東京農工大学では、先端産学連携研究推進センターにおいて、知的財産の創出・権利化・活用に取り組んでいます。上記の特許・技術の内容および導入に興味・関心がありましたら、当センターまでお気軽にお問い合わせください。


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