TOP > 国内特許検索 > 有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置

有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置 外国出願あり

国内特許コード P140010286
整理番号 469
掲載日 2014年2月21日
出願番号 特願2006-532620
登録番号 特許第4972730号
出願日 平成17年8月26日(2005.8.26)
登録日 平成24年4月20日(2012.4.20)
国際出願番号 JP2005015525
国際公開番号 WO2006025274
国際出願日 平成17年8月26日(2005.8.26)
国際公開日 平成18年3月9日(2006.3.9)
優先権データ
  • 特願2004-250600 (2004.8.30) JP
発明者
  • 小山田 崇人
  • 内生蔵 広幸
  • 安達 千波矢
出願人
  • 国立大学法人京都大学
  • 日本電信電話株式会社
発明の名称 有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置 外国出願あり
発明の概要 電界効果型トランジスタの形態を有する有機半導体発光装置およびこれを用いた表示装置が提供される。この有機半導体装置は、正孔および電子を輸送可能であり、正孔および電子の再結合により発光を生じる有機半導体発光層と、この有機半導体発光層に正孔を注入する正孔注入電極と、有機半導体発光層に電子を注入する電子注入電極と、これらの電極間の有機半導体発光層に対向して配置されたゲート電極とを備えている。ゲート電極に制御電圧を与えて、有機半導体発光層内のキャリヤの分布を制御することにより、発光のオン/オフを行ったり、発光強度を変調したりすることができる。
従来技術、競合技術の概要



有機半導体装置の典型例である有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機半導体層中における電子および正孔の再結合に伴う発光現象を利用した発光素子である。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機半導体発光素子と、この有機半導体発光層に電子を注入する電子注入電極と、前記有機半導体発光層に正孔を注入する正孔注入電極とを備えている(特許文献1)。





このような有機エレクトロルミネッセンス素子における発光のオン/オフは、正孔注入電極および電子注入電極間に印加する電圧のオン/オフによって行われる。また、発光強度の変調は、正孔注入電極および電子注入電極間に印加する電圧を可変制御することによって行われることになる。

【特許文献1】

開平5-315078号公報

産業上の利用分野



この発明は、有機半導体発光層を備えた有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
基板の表面に沿って形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように前記基板の表面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、
前記基板の表面に沿って形成され、正孔および電子を輸送可能であり、正孔および電子の再結合により発光を生じる有機半導体発光層と、
この有機半導体発光層に正孔を注入する正孔注入電極と、
この正孔注入電極に対して、前記基板の表面に沿って所定の間隔を開けて配置され、前記有機半導体発光層に電子を注入する電子注入電極とを含み
前記ゲート電極が、前記正孔注入電極と前記電子注入電極との間の前記有機半導体発光層に対向し、前記有機半導体発光層内のキャリヤの分布を制御するものである、有機半導体発光装置。

【請求項2】
前記有機半導体発光層は、正孔輸送材料であるP型有機半導体材料と、電子輸送材料であるN型有機半導体材料とを含むものである、請求項1記載の有機半導体発光装置。

【請求項3】
前記有機半導体発光層は、P型有機半導体材料およびN型有機半導体材料の混合物からなる、請求項2記載の有機半導体発光装置。

【請求項4】
前記有機半導体発光層は、P型有機半導体材料およびN型有機半導体材料の共蒸着によって作製されたものである、請求項3記載の有機半導体発光装置。

【請求項5】
前記有機半導体発光層は、さらに、発光中心を形成する発光材料を含む、請求項3記載の有機半導体発光装置。

【請求項6】
前記有機半導体発光層は、P型有機半導体材料、N型有機半導体材料および発光材料の共蒸着によって作製されたものである、請求項5記載の有機半導体発光装置。

【請求項7】
前記発光材料は、前記P型半導体材料およびN型有機半導体材料の少なくともいずれか一方よりもHOMOエネルギーレベルとLUMOエネルギーレベルとの差が小さい材料である、請求項5または6記載の有機半導体発光装置。

【請求項8】
前記有機半導体発光層は、P型有機半導体材料からなるP型有機半導体層と、N型有機半導体材料からなるN型有機半導体層とを積層した積層構造を有している、請求項2記載の有機半導体発光装置。

【請求項9】
前記P型有機半導体層およびN型有機半導体層のいずれか一方に、前記正孔注入電極および電子注入電極の両方が接している、請求項8記載の有機半導体発光装置。

【請求項10】
前記P型有機半導体材料は、チオフェンおよびフェニレンのコオリゴマーを含む、請求項2ないしのいずれかに記載の有機半導体発光装置。

【請求項11】
前記N型有機半導体材料は、ナフタレン酸無水物を含む、請求項2ないし10のいずれかに記載の有機半導体発光装置。

【請求項12】
基板の表面に沿って形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように前記基板の表面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、
前記基板の表面に沿って形成され、正孔および電子の少なくともいずれか一方の注入が可能であり、正孔および電子の再結合により発光を生じる有機半導体発光層と、
この有機半導体発光層に正孔を注入する正孔注入電極と、
この正孔注入電極に対して、前記基板の表面に沿って1.0μm以下の間隔を開けて配置され、前記有機半導体発光層に電子を注入する電子注入電極とを含み
前記ゲート電極が、前記正孔注入電極と前記電子注入電極との間の前記有機半導体発光層に対向し、前記有機半導体発光層内のキャリヤの分布を制御するものである、有機半導体発光装置。

【請求項13】
前記有機半導体発光層が、P型有機半導体材料またはN型有機半導体材料の単層からなる、請求項12記載の有機半導体発光装置。

【請求項14】
前記有機半導体発光層は、さらに、発光中心を形成する発光材料を含む、請求項12または13記載の有機半導体発光装置。

【請求項15】
前記有機半導体発光層は、チオフェンおよびフェニレンのコオリゴマーを含む、請求項12~14のいずれか一項に記載の有機半導体発光装置。

【請求項16】
前記正孔注入電極および前記電子注入電極は、間隔を開けて、互いに嵌め合わされるように配置された櫛歯形状部をそれぞれ有している、請求項1ないし15のいずれかに記載の有機半導体発光装置。

【請求項17】
請求項1ないし16のいずれかに記載の有機半導体発光装置を基板上に複数個配列して構成される表示装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 登録
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close