TOP > 国内特許検索 > シリコンの製造方法

シリコンの製造方法

国内特許コード P140010298
整理番号 3222
掲載日 2014年2月21日
出願番号 特願2012-074754
公開番号 特開2013-011012
登録番号 特許第6025140号
出願日 平成24年3月28日(2012.3.28)
公開日 平成25年1月17日(2013.1.17)
登録日 平成28年10月21日(2016.10.21)
優先権データ
  • 特願2011-120042 (2011.5.30) JP
発明者
  • 野平 俊之
  • 萩原 理加
  • 小林 克敏
  • 安田 幸司
  • 鳥羽 哲也
  • 山田 一夫
  • 一坪 幸輝
  • 増田 賢太
出願人
  • 国立大学法人京都大学
発明の名称 シリコンの製造方法
発明の概要 【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極3上に二酸化ケイ素4を載置させた状態で当該二酸化ケイ素4を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要



高純度を有するシリコンを安価で製造することができるシリコンの製造方法として、例えば、図9に示されるような電解装置を用い、その電解槽1に入れられた溶融塩5に二酸化ケイ素4からなる多孔質成形体の孔に挿入された陰極3および陽極6を浸漬した状態で、二酸化ケイ素4を溶融塩5中で電解還元させるシリコンの製造方法が提案されている(例えば、特許文献1の[請求項1]、図1など参照)。このシリコンの製造方法には、高純度を有するシリコンを安価で製造することができるという利点がある。





しかし、前記シリコンの製造方法では、二酸化ケイ素4の電解還元を継続して行なうためには、二酸化ケイ素4の電解還元後に電解槽1から陰極3自体を取り出し、当該陰極3を新たな陰極と交換しなければならないため、二酸化ケイ素4を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することが困難である。





したがって、二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法の開発が望まれている。

産業上の利用分野



本発明は、シリコンの製造方法に関する。さらに詳しくは、例えば、太陽電池の光起電力の電力素子、リチウム電池の負極材料、シリコン化合物の原料などに有用なシリコンの製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、電解還元装置として、電解槽の内面底部にシリコンからなる陰極が配置された電解還元装置を用い、前記シリコンからなる陰極上に二酸化ケイ素を載置させた状態で当該二酸化ケイ素を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。

【請求項2】
陰極上で二酸化ケイ素が載置されるように二酸化ケイ素を陰極上に供給しながら当該二酸化ケイ素を電解還元させる請求項1に記載のシリコンの製造方法。

【請求項3】
二酸化ケイ素として、二酸化ケイ素の多孔質体を用いる請求項1または2に記載のシリコンの製造方法。

【請求項4】
前記電解還元装置として、前記電解槽の下部に取出口をさらに有する電解還元装置を用い、生成したシリコンを前記取出口から回収する請求項1~3のいずれかに記載のシリコンの製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2012074754thum.jpg
出願権利状態 登録
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close