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有機材料装置の製造方法

国内特許コード P140010326
整理番号 1288
掲載日 2014年2月24日
出願番号 特願2006-265538
公開番号 特開2008-085200
登録番号 特許第4293467号
出願日 平成18年9月28日(2006.9.28)
公開日 平成20年4月10日(2008.4.10)
登録日 平成21年4月17日(2009.4.17)
発明者
  • 菅沼 直俊
  • 下地 規之
  • 奥 良彰
出願人
  • 国立大学法人京都大学
  • 日本電信電話株式会社
発明の名称 有機材料装置の製造方法
発明の概要 【課題】 基板上の有機材料層に対する影響を抑制または防止しつつ、当該基板上に別の材料層の微細パターンを形成することができる有機材料装置の製造方法を提供すること
【解決手段】 この有機半導体装置は、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜3と、有機材料層4と、電極5,6とを備えている。作製にあたり、有機材料層4上に犠牲層8が形成され、その犠牲層8の上にフォトレジスト9が形成される。その後、所定のパターンで露光され、露光された部分のフォトレジスト9がアルカリ現像液によって溶解させられる。次いで、全面が露光され、電極5,6が形成された後、アルカリ現像液によって、フォトレジスト9と共に電極5,6の不要部分がリフトオフされることにより、電極5,6がパターン化される。
【選択図】図2
従来技術、競合技術の概要



半導体活性層に有機半導体材料を用いた有機トランジスタが提案されている。有機トランジスタの一つの構造は、いわゆるトップコンタクト型である。トップコンタクト型の有機トランジスタは、有機半導体層上にソース・ドレイン電極を形成して作製される。より具体的には、たとえば、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板などの基板上に、ゲート電極が形成され、これを覆うようにゲート絶縁膜が形成される。さらに、このゲート絶縁膜上に有機半導体層が蒸着され、この有機半導体層上にソース・ドレイン電極としての金属層が形成される。





この金属層の形成には、一般に真空蒸着法が適用される。より具体的には、真空チャンバ内に蒸着源が配置され、これに対向するように前記ゲート絶縁膜および有機半導体層が形成された基板が配置される。さらに、この基板と蒸着源との間にシャドウマスクが配置される。シャドウマスクには、有機半導体層上に形成すべき金属層のパターン(ソース・ドレイン電極のパターン)に対応した微細な開口が形成されている。蒸着源において蒸発し、有機半導体層に向かって飛来する金属材料分子は、シャドウマスクの開口を通って、有機半導体層の表面に達して付着し、金属層のパターンを形成する。

【特許文献1】

開2005-038638号公報

産業上の利用分野



この発明は、有機材料層上に、別の材料層のパターンを有する有機材料装置の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
基板上に形成された有機材料からなる第1材料層上に無機材料からなる犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上を含む前記基板上の領域にレジストを形成する工程と、
このレジストを所定パターンに選択露光する選択露光工程と、
前記犠牲層を溶解させることができる水溶液からなる現像液で、前記選択露光工程において露光されたレジスト部分およびその直下の犠牲層を溶解させる現像工程と、
この現像工程の後の前記基板上に、第2材料層を形成する工程と、
前記犠牲層を溶解させることができる水溶液からなる現像液で、前記レジストおよびその直下の犠牲層を溶解させることによって、当該レジスト上の第2材料層をリフトオフし、前記第2材料層をパターニングするリフトオフ工程とを含む、有機材料装置の製造方法。

【請求項2】
前記現像工程後に前記基板上に残っている未露光部分のレジストを露光して、このレジストを前記リフトオフ工程で用いる現像液に可溶な性質に化学変化させる全レジスト露光工程をさらに含み、
この全レジスト露光工程の後に、前記第2材料層を形成する工程を行う、請求項1記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項3】
前記現像工程およびリフトオフ工程において用いられる前記現像液は、いずれもアルカリ性水溶液である、請求項1または2記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項4】
前記犠牲層が金属層である、請求項1~3のいずれか一項に記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項5】
前記第1材料層が有機半導体材料層である、請求項1~4のいずれか一項に記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項6】
前記第2材料層が金属層を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項7】
前記第2材料層が、前記第1材料層を構成する有機材料層とは別の種類の有機材料層を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項8】
前記第1材料層が、複数の有機材料層の積層構造を有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の有機材料装置の製造方法。

【請求項9】
前記第2材料層が、複数の有機材料層の積層構造を有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の有機材料装置の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2006265538thum.jpg
出願権利状態 登録
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