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ガラス基板内に金属層を埋設する方法、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法、及び、金属層が埋設されたガラス基板 新技術説明会

国内特許コード P140011094
整理番号 S2014-0633-N0
掲載日 2014年11月4日
出願番号 特願2014-132494
公開番号 特開2015-180584
出願日 平成26年6月27日(2014.6.27)
公開日 平成27年10月15日(2015.10.15)
優先権データ
  • 特願2014-042210 (2014.3.4) JP
発明者
  • 松坂 壮太
  • 前原 直友
  • 森田 昇
  • 比田井 洋史
  • 千葉 明
出願人
  • 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 ガラス基板内に金属層を埋設する方法、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法、及び、金属層が埋設されたガラス基板 新技術説明会
発明の概要 【課題】ガラス基板の面方向に沿って金属層を埋設する方法及びガラス基板を提供すること。
【課題を解決するための手段】
本発明の一の観点に係るガラス基板内に金属層を埋設する方法は、金属が接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加することを特徴とする。また、本観点に係る金属は、金属薄膜であり、この金属薄膜は、限定されるわけではないが、銀及び銅の少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、本観点に係るガラス基板は、限定されるわけではないが、アルカリ金属イオンを含むことが好ましい。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


ガラス基板は平坦性、透過性、耐薬品性に優れ、寸法等の変化も少なく、更には誘電率等の材料特性の安定性が高く、電子部品等の回路基板として優れた特性を有している。このガラス基板上だけでなくガラス基板内部に金属配線を形成することができればより高性能な電子部品等を実現することが可能となる。



ガラス基板内部に金属線を形成する技術として、ガラス製インターポーザー(積層半導体の中継基板)を加工し、ガラス基板内部に金属線を形成する技術が例えば下記特許文献1に記載されている。



具体的に説明すると下記特許文献1には、ガラス基板に対してレーザー加工による穿孔を行った後電解メッキによって金属層を形成する板表面から裏面方向に穿孔し、メッキ、蒸着等の方法によって孔内面に金属膜を形成する手法が開示されている。

産業上の利用分野


本発明は、ガラス基板内に金属層を埋設する方法、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法、及び、金属層が埋設されたガラス基板に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
金属に接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加する、ガラス基板内に金属層を埋設する方法。

【請求項2】
前記金属は金属薄膜であり、前記金属薄膜の金属は、銀及び銅の少なくともいずれかを含む請求項1記載のガラス基板内に金属層を埋設する方法。

【請求項3】
前記ガラス基板は、アルカリ金属イオンを含む請求項1記載のガラス基板内に金属層を埋設する方法。

【請求項4】
金属が接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加する、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法。

【請求項5】
前記金属は金属薄膜であり、前記金属薄膜の金属は、銀及び銅の少なくともいずれかを含む請求項4記載の金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法。

【請求項6】
前記ガラス基板は、アルカリ金属イオンを含む請求項4記載の金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法。

【請求項7】
金属層が埋設されたガラス基板。

【請求項8】
前記金属層によって二つに区切られるガラス領域において、一方のガラス領域において含まれる主たる金属イオンと、他方のガラス領域において含まれる主たる金属イオンとが異なる請求項7記載の金属層が埋設されたガラス基板。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2014132494thum.jpg
出願権利状態 公開
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