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透明導電体及び透明導電体の製造方法

国内特許コード P150011358
整理番号 S2013-0225-N0
掲載日 2015年2月19日
出願番号 特願2013-033096
公開番号 特開2014-162033
登録番号 特許第6099260号
出願日 平成25年2月22日(2013.2.22)
公開日 平成26年9月8日(2014.9.8)
登録日 平成29年3月3日(2017.3.3)
発明者
  • 川原田 洋
  • 長谷川 雅考
出願人
  • 学校法人早稲田大学
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明導電体及び透明導電体の製造方法
発明の概要 【課題】安定的に形成することができるp型の透明導電体及び導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド薄膜を備える透明導電体であって、前記ダイヤモンド薄膜は、600℃以上の成膜温度で表面に形成され、ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域と、前記高濃度領域の深さ方向に形成され、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域と、前記高濃度領域と前記低濃度領域の間に形成され、深さ方向にホウ素の濃度勾配を有する領域とを備える。
【選択図】なし
従来技術、競合技術の概要



透明導電体は、光透過性と導電性とを有し、液晶パネルやプラズマディスプレイ(PDP;Plasma Display Panel),有機ELパネル(OELD;Organic Electroluminescence Display)などのフラットパネル・ディスプレイ(FPD;Flat Panel Display)に多く用いられる。さらに透明導電体は、抵抗膜方式のタッチ・パネル,太陽電池,青色発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)の電極などにも用いられる。





現在、実用化されている透明導電体として、スズを添加した酸化インジウム(ITO;Indium Tin Oxide)が知られている。ITOは、主にスパッタリング法により形成される。ところが、ITOは主成分であるインジウムが希少な天然資源であると共に、製造工程において原料であるインジウムのターゲット材に多量の廃材が生じる、という問題がある。





これに対し、カーボン等の一般的な物質を用いたITOに代わる透明導電体が開発されている(例えば特許文献1)。特許文献1には、グラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電体が開示されている。

産業上の利用分野



本発明は、透明導電体及び透明導電体の製造方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
ダイヤモンド薄膜を備える透明導電体であって、
前記ダイヤモンド薄膜は、
600℃以上の成膜温度で表面に形成され、ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域と、
前記高濃度領域の深さ方向に形成され、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域と、
前記高濃度領域と前記低濃度領域の間に形成され、深さ方向にホウ素の濃度勾配を有する領域と
を備えることを特徴とする透明導電体。

【請求項2】
前記高濃度領域の結晶粒の平均粒径が50nm以下であることを特徴とする請求項1記載の透明導電体。

【請求項3】
移動度が2cm-1・sec-1以上、シート抵抗が350Ω/Sq以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の透明導電体。

【請求項4】
ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域を有するダイヤモンド薄膜を備える透明導電体を製造する製造方法であって、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域上に、前記高濃度領域を600℃以上の成膜温度で形成する工程を備えることを特徴とする透明導電体の製造方法。

【請求項5】
移動度が2cm-1・sec-1以上、シート抵抗が350Ω/Sq以下であることを特徴とする請求項4記載の透明導電体の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 登録
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