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窒化物半導体成長用基板 コモンズ

国内特許コード P150011559
整理番号 H25-5
掲載日 2015年3月24日
出願番号 特願2013-176635
公開番号 特開2015-044706
出願日 平成25年8月28日(2013.8.28)
公開日 平成27年3月12日(2015.3.12)
発明者
  • 佐藤 一成
  • 山本 喜之
  • 柳沢 淳一
出願人
  • 住友電気工業株式会社
  • 公立大学法人 滋賀県立大学
発明の名称 窒化物半導体成長用基板 コモンズ
発明の概要 【課題】製造コストが低く、かつ、主面全体に窒化物半導体を均一にエピタキシャル成長させることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。
【解決手段】
下地基板1と、下地基板1上に形成されている窒化物半導体層2とを備え、窒化物半導体層2は、下地基板1上に形成された窒化珪素膜に対して元素をイオンとして照射することにより形成されており、窒化物半導体層2において、厚み方向における上記元素の濃度の最大値と最小値との差を上記最大値で割った値が40%以下である。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要



3.4eVのエネルギーバンドギャップおよび高い熱伝導率を有する窒化ガリウム(GaN)基板などの窒化物基板は、短波長の光デバイスやパワー電子デバイスなどの半導体デバイス用の材料として注目されている。しかしながら、このような窒化物基板は高価である。





国際公開2006/104064号(特許文献1)には、窒化ガリウム(GaN)膜をシリコン(Si)基板、ガラス基板、またはガリウムヒ素(GaAs)基板上に形成するための窒化ガリウム成長用基板およびその製造方法が開示されている。具体的には、基板上に形成された窒化珪素(SiN)膜の表面に、4keVのエネルギーでGaイオンを照射することにより、SiN膜の表層部にGaN膜を形成することができることが記載されている。

産業上の利用分野



本発明は、窒化物半導体をエピタキシャル成長するための窒化物半導体成長用基板に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下地基板と、
前記下地基板上に形成されている窒化物半導体層とを備え、
前記窒化物半導体層は、前記下地基板上に形成された窒化珪素膜に対して元素をイオンとして照射することにより形成されており、
前記窒化物半導体層において、厚み方向における前記元素の濃度の最大値と最小値との差を前記最大値で割った値が40%以下である、窒化物半導体成長用基板。

【請求項2】
前記元素は、ガリウム,インジウム,アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の窒化物半導体成長用基板。

【請求項3】
前記窒化物半導体層の組成は、Al1-x-yGaInN(x≧0,y≧0,0≦x+y≦1)で表わされる、請求項2に記載の窒化物半導体成長用基板。

【請求項4】
前記窒化物半導体層の膜厚は、10nm以下である、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の窒化物半導体成長用基板。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2013176635thum.jpg
出願権利状態 公開


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