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水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ UPDATE 新技術説明会

国内特許コード P150012193
整理番号 2015-025
掲載日 2015年8月20日
出願番号 特願2015-138068
公開番号 特開2017-022240
出願日 平成27年7月9日(2015.7.9)
公開日 平成29年1月26日(2017.1.26)
発明者
  • 川江 健
  • 徳田 規夫
  • 古市 浩幹
  • 柄谷 涼太
  • 中嶋 宇史
出願人
  • 国立大学法人金沢大学
発明の名称 水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ UPDATE 新技術説明会
発明の概要 【課題】高い表面キャリア密度を有する水素終端表面からなるダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタを提供をする。
【解決手段】水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲート絶縁膜を組み合せる。また、強誘電体は、水素終端ダイヤモンド表面に300℃以下の低温で薄膜形成され、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜である。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


本出願人は、先に二硫化モリブデンをチャネルとし、ゲートに有機強誘電体を用いた電界効果トランジスタを提案している(非特許文献1)。
これに対して本発明は、水素終端ダイヤモンドの表面伝導層をチャネルとした電界効果トランジスタである。

産業上の利用分野


本発明は、表面が水素終端となっているダイヤモンドの表面伝導層をチャネルとした電界効果トランジスタに関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

【請求項2】
前記強誘電体は前記水素終端ダイヤモンド表面に300℃以下の低温で薄膜形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ。

【請求項3】
前記水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上にソース及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極とドレイン電極との間であって前記水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上に強誘電体の薄膜を積層し、
前記強誘電体の薄膜にゲート電極を形成したことを特徴とする請求項1又は2記載の電界効果トランジスタ。

【請求項4】
前記強誘電体はフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2015138068thum.jpg
出願権利状態 公開
(有)金沢大学ティ・エル・オーは、金沢大学の研究者の出願特許を産業界へ技術移転することを主目的として、金沢大学の教官の出資により設立された技術移転機関です。
ご興味のある方は、下記「問合せ先」へ整理番号と共にご連絡願います。
なお、既に活用のお申し込み・お打合わせ等の段階に入っている場合もございますので、予めご承知おきください。


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