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電界効果トランジスタ

国内特許コード P150012196
整理番号 2014-081
掲載日 2015年8月20日
出願番号 特願2015-093772
公開番号 特開2016-213280
出願日 平成27年5月1日(2015.5.1)
公開日 平成28年12月15日(2016.12.15)
発明者
  • 川江 健
  • 広瀬 宗一郎
  • 小林 拓平
  • 中嶋 宇史
出願人
  • 国立大学法人金沢大学
発明の名称 電界効果トランジスタ
発明の概要 【課題】優れたキャリア制御特性を有する電界効果トランジスタの提供をする。
【解決手段】トランジスタ10は、シリコン等の基板11の上にPtの電極12を形成し、その上に75/25mol%のVDF/TrFE(フッ化ビニリデン-三フッ化エチレン共重合体)をスピンコート法により塗布後に120℃にて乾燥させ、膜厚150nmの強誘電体13の薄膜を形成する。二次元物質14としてMoS(二硫化モリブデン)を薄片化し、これをテープを用いて強誘電体13の上に転写する。その後にフォトリソグラフィにより部分的にAuからなるドレイン電極15とソース電極16を形成する。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


二次元物質は層状構造を有し、薄膜化が容易なことから半導体素子として検討がなされている。
例えば、非特許文献1にMoS(二硫化モリブデン)をチャネルとしたFET構造が開示されている。

産業上の利用分野


本発明は電界効果トランジスタに関し、特に二次元物質と強誘電体との組み合せからなるトランジスタに係る。

特許請求の範囲 【請求項1】
二次元物質からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

【請求項2】
前記二次元物質はカルコゲン化合物半導体であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ。

【請求項3】
前記強誘電体は有機系の薄膜又は無機系の薄膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の電界効果トランジスタ。

【請求項4】
基板の上に電極を介してゲートとなる強誘電体薄膜を積層し、
前記強誘電体薄膜の上に二次元物質薄膜をチャネルとして積層し、
前記二次元物質薄膜にドレイン及びソース電極を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2015093772thum.jpg
出願権利状態 公開
(有)金沢大学ティ・エル・オーは、金沢大学の研究者の出願特許を産業界へ技術移転することを主目的として、金沢大学の教官の出資により設立された技術移転機関です。
ご興味のある方は、下記「問合せ先」へ整理番号と共にご連絡願います。
なお、既に活用のお申し込み・お打合わせ等の段階に入っている場合もございますので、予めご承知おきください。


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