TOP > 国内特許検索 > グラフェン・ダイヤモンド積層体

グラフェン・ダイヤモンド積層体 新技術説明会

国内特許コード P150012234
整理番号 2010-026
掲載日 2015年9月1日
出願番号 特願2010-272963
公開番号 特開2012-121751
登録番号 特許第5681959号
出願日 平成22年12月7日(2010.12.7)
公開日 平成24年6月28日(2012.6.28)
登録日 平成27年1月23日(2015.1.23)
発明者
  • 徳田 規夫
  • 猪熊 孝夫
  • 福井 真
  • 山崎 聡
  • 竹内 大輔
  • 牧野 俊晴
出願人
  • 国立大学法人金沢大学
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 グラフェン・ダイヤモンド積層体 新技術説明会
発明の概要 【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。
【選択図】 図2
従来技術、競合技術の概要


これまで各種デバイスの基盤材料として、シリコンが広く使用されてきている。
しかし、近年、CMOS技術の高度化により、シリコンLSIの微細化に限界が見え始めていること、デバイスの省エネ化にはシリコン以上の性能が要求されるパワーデバイスに対するニーズ、さらには、生体との親和性の高いホワイトデバイスの実現等の要求があり、シリコンに替わる基盤材料の開発が望まれている。
本出願に係る発明者のうち徳田 規夫らのグループは、ダイヤモンドが他の半導体材料であるSi,GaAs,SiC,GaN等に比較して非常に優れた物性を有していることに着目し、これまでに原子的平坦面を有するダイヤモンド基板(特許文献1)や表面にステップテラス構造を有するダイヤモンド基板(特許文献2)を提案している。
一方、近年、グラフェンが上記他の半導体材料に比較して高い熱伝導率と大きいヤング率を有することに着目され、グラフェンの研究も盛んに行われている(非特許文献1)。
グラフェンは、その高い柔軟性、透明性、量子効果等からバイオセンサーやガスセンサーへの応用が期待されているものの、基本的にバンドギャップがゼロであり、電子デバイスへの応用にはバンドギャップの形成方法とその制御が課題となっている。
非特許文献2にグラフェンの幅がグラフェン骨格の数倍程度に形成したグラフェンナノリボンにすることで、このグラフェンにバンドギャップを形成できることが記載されている。

産業上の利用分野


本発明はダイヤモンド基板上にグラフェンを形成した新規基盤材料及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
{111}、{110}及び{100}のうちのいずれかの結晶面が表面に原子的平坦に形成されたダイヤモンド基板を10-1Torr以下の真空下、又は不活性ガス環境下でアニーリング処理をすることで当該ダイヤモンド基板の表面にグラフェンを相転移により形成することを特徴とするグラフェン・ダイヤモンド積層体の製造方法。

【請求項2】
{111}、{110}及び{100}のうちのいずれかの結晶面が表面に原子的平坦に形成されたステップテラス構造のダイヤモンド基板を10-1Torr以下の真空下、又は不活性ガス環境下でアニーリング処理をすることで当該ダイヤモンド基板上の前記ステップ端に沿って、グラフェンのリボン状のナノリボン膜を相転移により形成することを特徴とするグラフェン・ダイヤモンド積層体の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2010272963thum.jpg
出願権利状態 登録
(有)金沢大学ティ・エル・オーは、金沢大学の研究者の出願特許を産業界へ技術移転することを主目的として、金沢大学の教官の出資により設立された技術移転機関です。
ご興味のある方は、下記「問合せ先」へ整理番号と共にご連絡願います。
なお、既に活用のお申し込み・お打合わせ等の段階に入っている場合もございますので、予めご承知おきください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close