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半導体発光素子

国内特許コード P150012488
掲載日 2015年10月28日
出願番号 特願2014-502031
登録番号 特許第6019541号
出願日 平成25年2月26日(2013.2.26)
登録日 平成28年10月14日(2016.10.14)
国際出願番号 JP2013001113
国際公開番号 WO2013128894
国際出願日 平成25年2月26日(2013.2.26)
国際公開日 平成25年9月6日(2013.9.6)
優先権データ
  • 特願2012-039483 (2012.2.27) JP
発明者
  • 只友 一行
  • 岡田 成仁
出願人
  • 国立大学法人山口大学
発明の名称 半導体発光素子
発明の概要 半導体発光素子(10)は、GaN層(13)と、GaN層(13)の直上のInGaN層(14)と、InGaN層(14)の多重量子井戸層(15)とを備える。InGaN層(14)は、GaN層(13)との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和している。
従来技術、競合技術の概要


半導体発光素子として、サファイア基板上にn型GaN層が設けられ、さらにその上にGaNとInGaNとが交互に積層されて構成された多重量子井戸層が設けられた構造は公知である。



また、特許文献1には、サファイア基板上にバッファ層を介してn型GaN層が設けられ、そして、その上にノンドープのInGa1-aN(0.01≦a≦0.05)で形成された厚さ180nmの歪み緩和層が設けられ、さらにその上にGaNとInGaNとが交互に積層されて構成された多重量子井戸層が設けられ、サファイア基板と多重量子井戸層との熱膨張係数の差異により発生する歪みによる応力を歪み緩和層により緩和した半導体発光素子が開示されている。

産業上の利用分野


本発明は半導体発光素子に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
主面が{11-22}面のGaN層と、
上記GaN層の直上にInGa1-xN(0.01<x<0.05)がエピタキシャル成長して形成され、n型ドーパントを含有した厚さ0.2μm以上のInGaN層と、
上記InGaN層の直上にエピタキシャル成長して形成され、InGaNで形成された井戸層を含む紫色に発光するように構成された多重量子井戸層と、
を備え、
上記InGaN層は、上記GaN層との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和しており、
上記多重量子井戸層の発光波長に対する発光強度分布の半値全幅が40nm以下である半導体発光素子。

【請求項7】
請求項1に記載された半導体発光素子において、
上記GaN層が設けられた基板をさらに備えた半導体発光素子。

【請求項8】
請求項7に記載された半導体発光素子において、
上記基板がサファイア基板である半導体発光素子。
国際特許分類(IPC)
Fターム
  • 5F141AA40
  • 5F141CA05
  • 5F141CA23
  • 5F141CA40
  • 5F141CA64
  • 5F141CA65
  • 5F141CA66
  • 5F141CA74
  • 5F141CA88
  • 5F141CA92
  • 5F141CB11
  • 5F241AA40
  • 5F241CA05
  • 5F241CA23
  • 5F241CA40
  • 5F241CA64
  • 5F241CA65
  • 5F241CA66
  • 5F241CA74
  • 5F241CA88
  • 5F241CA92
  • 5F241CB11
画像

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JP2014502031thum.jpg
出願権利状態 登録


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