TOP > 国内特許検索 > グラフェンデバイスおよびその製造方法

グラフェンデバイスおよびその製造方法 (未公開特許出願) コモンズ

国内特許コード P150012661
掲載日 2015年12月4日
出願番号 特願2015-212450
出願日 平成27年10月29日(2015.10.29)
出願人
  • 国立大学法人名古屋工業大学
発明の名称 グラフェンデバイスおよびその製造方法 (未公開特許出願) コモンズ
発明の概要 "基板移し替え工程を伴うことなく、欠陥の無いグラフェン層を所望の部位に形成できること、に加え、自己形成グラフェンデバイスの実現を可能とする。
非導電性/導電性基板に堆積させたアモルファスカーボン層上に、薄膜遷移金属層、厚膜遷移金属層からなる矩形パターンが形成され、加熱処理にて薄膜遷移金属層を厚膜遷移金属層側へ凝集させ、厚膜遷移金属層下のカーボン層に析出させたグラフェン層上に、電極用絶縁体を配し、電極用絶縁体にゲート電極を、ゲート電極を挟む両側にソース電極、レイン電極を、形成させる"
※ 未公開特許の詳細内容の開示については、秘密保持を契約していただくことが前提となっております。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close