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高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置 (未公開特許出願) コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P160012913
掲載日 2016年4月19日
出願番号 特願2016-033015
出願日 平成28年2月24日(2016.2.24)
出願人
  • 国立大学法人名古屋工業大学
発明の名称 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置 (未公開特許出願) コモンズ 新技術説明会
発明の概要 炭化ケイ素(シリコンカーバイト:SiC)を用いた光電極に関する。順に、金属板と、p型SiC基板と、p型3C-SiCと、n型3C-SiCと、を層状に有するSiC光電極である。SiC光電極を、水を主体とした電解液に浸し、太陽光を当てることで、水を高効率で分解して水素を製造する装置を提供する。
※ 未公開特許の詳細内容の開示については、秘密保持を契約していただくことが前提となっております。


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