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電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法 (未公開特許出願) 新技術説明会

国内特許コード P160013355
掲載日 2016年10月11日
出願番号 特願2015-145514
出願日 平成27年7月23日(2015.7.23)
発明者
  • 重川直輝
  • 梁 剣波
出願人
  • 公立大学法人大阪市立大学
発明の名称 電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法 (未公開特許出願) 新技術説明会
発明の概要 表面活性化接合法により結晶構造や格子定数が異なる半導体材料等の異種材料を室温で貼り合わせます。ワイドギャップ材料とナローギャップ材料を使ったダイオード、トランジスタ、更にタンデム太陽電池等これまでの方法では実現困難であった創エネ・省エネ素子を低環境負荷で実現します。
国際特許分類(IPC)
  • H01L29/00
参考情報 (研究プロジェクト等) シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発


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