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加工方法及び加工装置 コモンズ

国内特許コード P160013422
整理番号 (12013AA11)
掲載日 2016年11月2日
出願番号 特願2014-533143
出願日 平成25年9月2日(2013.9.2)
国際出願番号 JP2013073469
国際公開番号 WO2014034921
国際出願日 平成25年9月2日(2013.9.2)
国際公開日 平成26年3月6日(2014.3.6)
優先権データ
  • 特願2012-192834 (2012.9.3) JP
発明者
  • 久保田 章亀
  • 峠 睦
出願人
  • 国立大学法人 熊本大学
発明の名称 加工方法及び加工装置 コモンズ
発明の概要 高い加工速度を汎用的な装置でも実現可能な加工方法及び加工装置を提供する。そのために、合成石英定盤2の表面に紫外光を照射して清浄化かつ親水化処理を行うと共に、清浄化かつ親水化処理が施された合成石英定盤2とダイヤモンド基板8を相対的に変位させて、ダイヤモンド基板8を加工する。
従来技術、競合技術の概要


ダイヤモンド半導体は、半導体の中で最も高い絶縁耐圧と最も高い熱伝導率という優れた特性を持つため、次世代パワー半導体デバイス用材料として有力視されている。



ダイヤモンドを用いて半導体デバイスを製作するためには、デバイスの下地となるダイヤモンド基板表面を原子レベルで平滑、かつ無擾乱に仕上げる加工技術が必要不可欠であるといわれている。しかしながら、ダイヤモンドは、高硬度かつ化学的に安定であるために、加工することは極めて難しく、加工技術の開発が技術的課題となっている。



このため、ダイヤモンドからなる基板の被研磨面に研磨定盤を高圧で接触させると共に、研磨定盤の裏面から基板の研磨面に紫外線を照射しつつ、基板を研磨定盤に対して相対的に擦動させることにより研磨する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。

産業上の利用分野


本発明は加工方法及び加工装置に関する。詳しくは、ダイヤモンド等の難加工性の高機能材料表面を高能率かつ高精度に加工することができる加工方法及びこうした加工方法を実現可能な加工装置に係るものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
金属酸化物で構成された加工部材の表面を清浄化かつ親水化処理すると共に、同加工部材と被加工物を接触させた状態で相対的に変位させる工程を備える
加工方法。

【請求項2】
前記加工部材の清浄化かつ親水化処理は、紫外光若しくはプラズマを照射して行う
請求項1に記載の加工方法。

【請求項3】
前記加工部材の前記被加工物との非接触領域に紫外光若しくはプラズマを照射する
請求項2に記載の加工方法。

【請求項4】
前記加工部材を加熱した状態で清浄化かつ親水化処理を行うと共に、前記加工部材を加熱した状態で同加工部材と前記被加工物を相対的に変位させる
請求項1、請求項2または請求項3に記載の加工方法。

【請求項5】
前記被加工物は、シリコンカーバイド、窒化ケイ素、GaN、ダイヤモンド、サファイア、AlNのうちいずれか1つからなる
請求項1、請求項2、請求項3または請求項4に記載の加工方法。

【請求項6】
金属酸化物で構成された加工部材と、
該加工部材の表面を親水化処理する清浄化かつ親水化処理部と、
所定の被加工物を保持する保持機構と、
前記加工部材と前記被加工物を接触させた状態で、前記加工部材と前記被加工物を相対的に変位させる駆動部とを備える
加工装置。

【請求項7】
前記清浄化かつ親水化処理部は、紫外光若しくはプラズマを前記加工部材の表面に照射可能に構成された
請求項6に記載の加工装置。

【請求項8】
前記清浄化かつ親水化処理部は、紫外光若しくはプラズマを前記加工部材の前記被加工物との非接触領域に照射可能に構成された
請求項7に記載の加工装置。

【請求項9】
前記加工部材を加熱する加熱部を備える
請求項6、請求項7または請求項8に記載の加工装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2014533143thum.jpg
出願権利状態 公開
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