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半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法 NEW

国内特許コード P170014213
整理番号 S2014-0880-N0
掲載日 2017年6月14日
出願番号 特願2014-097751
公開番号 特開2015-214448
出願日 平成26年5月9日(2014.5.9)
公開日 平成27年12月3日(2015.12.3)
発明者
  • 後藤 健
  • 纐纈 明伯
  • 熊谷 義直
  • 村上 尚
出願人
  • 株式会社タムラ製作所
  • 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法 NEW
発明の概要 【課題】HVPE法によりβ-Ga単結晶からなるエピタキシャル層を高い成長レートで成長させることができるβ-Ga単結晶からなる半導体基板、その半導体基板とエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハ、及びそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態として、HVPE法によるエピタキシャル結晶成長用の下地基板として用いられる半導体基板であって、β-Ga系単結晶からなり、β-Ga系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする、半導体基板11を提供する。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


従来、β-Ga系基板上に、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法によるエピタキシャル結晶成長によりβ-Ga単結晶膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。



特許文献1によれば、β-Ga系基板の主面の面方位を所定の面方位とすることにより、MBE法により、β-Ga単結晶膜を高い成長レートで成長させることができる。

産業上の利用分野


本発明は、半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
HVPE法によるエピタキシャル結晶成長用の下地基板として用いられる半導体基板であって、
β-Ga系単結晶からなり、β-Ga系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする、
半導体基板。

【請求項2】
前記主面が、β-Ga系単結晶の[010]軸を回転軸として(100)面から(101)面へ向かう方向に38°以上90°以下の範囲内の角度で回転させた面である、
請求項1に記載の半導体基板。

【請求項3】
前記角度が、68±10°である、
請求項2に記載の半導体基板。

【請求項4】
前記角度が、38±1°、53.8±1°、68±1°、76.3±1°、77.3±1°、83±1°、又は90±1°である、
請求項2に記載の半導体基板。

【請求項5】
請求項1~4のいずれか1項に記載の前記半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上にHVPE法によるエピタキシャル結晶成長により形成された、β-Ga系単結晶からなるエピタキシャル層と、
を有するエピタキシャルウエハ。

【請求項6】
β-Ga系単結晶からなり、β-Ga系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする半導体基板上に、β-Ga系単結晶からなるエピタキシャル層をHVPE法によるエピタキシャル結晶成長により形成する工程を含む、
エピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項7】
前記エピタキシャル層の成長レートが1.2μm/h以上である、
請求項6に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項8】
前記半導体基板の前記主面が、β-Ga系単結晶の[010]軸を回転軸として(100)面から(101)面へ向かう方向に38°以上90°以下の範囲内の角度で回転させた面である、
請求項6又は7に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項9】
前記角度が、68±10°である、
請求項8に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項10】
前記角度が、38±1°、53.8±1°、68±1°、76.3±1°、77.3±1°、83±1°、又は90±1°である、
請求項8に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2014097751thum.jpg
出願権利状態 公開
※ 国立大学法人東京農工大学では、先端産学連携研究推進センターにおいて、知的財産の創出・権利化・活用に取り組んでいます。上記の特許・技術の内容および導入に興味・関心がありましたら、当センターまでお気軽にお問い合わせください。


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