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電子素子

国内特許コード P170014244
整理番号 (AF12-16WO)
掲載日 2017年6月23日
出願番号 特願2015-505449
出願日 平成26年3月9日(2014.3.9)
国際出願番号 JP2014056080
国際公開番号 WO2014142040
国際出願日 平成26年3月9日(2014.3.9)
国際公開日 平成26年9月18日(2014.9.18)
優先権データ
  • 特願2013-047422 (2013.3.9) JP
発明者
  • 真島 豊
  • 寺西 利治
  • 東 康男
  • 坂本 雅典
  • 加納 伸也
  • ダニエル エドゥアルド ウルタド サリナス
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 電子素子
発明の概要 金属ナノ粒子を用いなくても、スイッチングやメモリとして機能する電子素子を提供する。電子素子が、ナノギャップを有するように配置された一方の電極及び他方の電極5A,5Bと、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間で少なくとも何れかの電極上に設けられたハロゲンイオン6と、を備える。一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に電圧を正の値から負の値まで、負の値から正の値まで連続的に繰り返し変化させると、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流波形が非対称となる。一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に印加する電圧の値に応じてハロゲンイオン6の状態を変化させ、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流の値に対応させて情報の書き込み状態と情報の消去状態とを維持する。
従来技術、競合技術の概要


対向する電極間に架橋、細線、ポイントコンタクトなどを形成した電子素子が開発されている(例えば特許文献1)。一方、本発明者らは、単電子トランジスタの製造技術の確立のために、単電子デバイスにおけるクーロン島として金ナノ粒子に注目し、STMを用いて1.8nmの粒径の金ナノ粒子が常温でクーロン島として機能していることを明らかにしてきた。また、固体基板上に電子デバイスの構築に向けて、無電解メッキを用いて5nmのギャップ長を有するナノギャップ電極を一度に高歩留まりで作製する技術を確立してきた。さらに、ナノギャップ電極間に、アルカンチオール分子で保護された金ナノ粒子を化学吸着法により導入した単電子トランジスタの動作について報告してきた(非特許文献1乃至5)。

産業上の利用分野


本発明は、スイッチング機能やメモリ機能を有する電子素子に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
ナノギャップを有するように配置された一方の電極及び他方の電極と、
上記一方の電極と上記他方の電極との間で少なくとも何れかの電極上に設けられたハロゲンイオンと、
を備える、電子素子。

【請求項2】
前記一方の電極と前記他方の電極との間に電圧を正の値から負の値まで及び/又は負の値から正の値まで連続的に変化させると、前記一方の電極と前記他方の電極との間に流れる電流波形が非対称となる、請求項1に記載の電子素子。

【請求項3】
前記一方の電極と前記他方の電極との間の電圧に対する電流特性が負性微分コンダクタンスを有する、請求項1に記載の電子素子。

【請求項4】
前記一方の電極と前記他方の電極との間に印加する電圧の値に応じて前記ハロゲンイオンの状態を変化させ、前記一方の電極と前記他方の電極との間に流れる電流の値に対応させて情報の書き込み状態と情報の消去状態とを維持する、請求項1に記載の電子素子。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2015505449thum.jpg
出願権利状態 公開
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST ナノ科学を基盤とした革新的製造技術の創成 領域
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