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(In Japanese)ウイルスフリー植物個体の作出方法 UPDATE_EN

Patent code P170014590
File No. (S2015-0199-N0)
Posted date Sep 14, 2017
Application number P2016-561973
Date of filing Nov 27, 2015
International application number JP2015083501
International publication number WO2016084965
Date of international filing Nov 27, 2015
Date of international publication Jun 2, 2016
Priority data
  • P2014-241474 (Nov 28, 2014) JP
Inventor
  • (In Japanese)吉川 信幸
  • (In Japanese)山岸 紀子
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人岩手大学
Title (In Japanese)ウイルスフリー植物個体の作出方法 UPDATE_EN
Abstract (In Japanese)以下の工程:(1)rALSV感染植物個体を、その至適温度より高く、かつ、rALSVが不活性化する温度で、2週間から6週間育成する工程;(2)工程(1)の後、rALSV感染植物個体をその至適温度にて育成して、rALSV感染植物個体からrALSV非存在部位を伸長させる工程;および(3)工程(2)で伸長させたrALSV非存在部位を穂木として接ぎ木して育成する工程を、含む作出方法とする。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


本発明者らは、シロイヌナズナ(Arabidopsis thaliana:At)の開花促進遺伝子FLOWERING LOCUS T(AtFT)を発現する組換えリンゴ小球形潜在ウイルス(Apple latent spherical virus:ALSV)に感染した増殖宿主(キノア)から濃縮したウイルス(ALSV-AtFT)のRNAを、発根直後のバラ科果樹実生の子葉にパーティクルガン法を用いて接種することによって、例えばリンゴの場合は発芽後6~12年を要する開花までの期間を1.5~3ヶ月へと大幅に短縮することに成功している(特許文献1、非特許文献1)。



ALSVはリンゴに病気を引き起こすことなく無病徴感染し、安定して全身感染を維持するが、その種子伝染率は低率であることから、AtFT遺伝子を発現する組換えALSV(ALSV-AtFT)の濃縮RNAの感染によって開花促進がなされたバラ科果樹の次世代からはウイルスフリーの個体を選抜することが可能であり、その選抜したウイルスフリー個体は、遺伝子導入がなされていない果樹個体となんら変わることがなく、そのまま育種素材として使用することできる(特許文献1)。



さらに、本発明者らは、AtFTを発現するとともに、バラ科の開花抑制遺伝子MdTFL1のジーンサイレンシングを誘導するrALSVを感染させた種子を育成し、開花した花に受粉して、播種から12ヵ月以内に次世代種子を含む果実を結実させることにも成功している(特許文献2)。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、組換えALSV(rALSV)感染植物個体の形質を有し、かつ、ウイルスフリーである植物個体を作出する技術に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
組換えALSV(rALSV)感染植物個体の形質を有し、かつ、ウイルスフリーである植物個体の作出方法であって、以下の工程:
(1)rALSV感染植物個体を、その至適温度より高く、かつ、rALSVが不活性化する温度で、2週間から6週間育成する工程;
(2)工程(1)の後、rALSV感染植物個体をその至適温度にて育成して、rALSV感染植物個体からrALSV非存在部位を伸長させる工程;および
(3)工程(2)で伸長させたrALSV非存在部位を穂木として接ぎ木して育成する工程
を含むことを特徴とする作出方法。

【請求項2】
 
工程(1)の育成期間の温度は、35℃~42℃であることを特徴とする請求項1の作出方法。

【請求項3】
 
組換えALSV(rALSV)を感染させた植物個体から、rALSV非存在部位を伸長させるための育成方法であって、
(1)rALSV感染植物個体を、その至適温度より高く、かつ、rALSVが不活性化する温度で、2週間から6週間育成する工程;
(2)rALSV感染植物個体をその至適温度にて育成して、rALSV感染植物個体からrALSV非存在部位を伸長させる工程を含むことを特徴とする育成方法。

【請求項4】
 
工程(1)の育成期間の温度は、35℃~42℃であることを特徴とする請求項3の方法。

【請求項5】
 
請求項3の育成方法によって成長させたrALSV感染植物個体であって、伸長したrALSV非存在部位を有することを特徴とするrALSV感染植物個体。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2016561973thum.jpg
State of application right Published
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