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コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P03P001253
整理番号 A051P224
掲載日 2003年7月10日
出願番号 特願2001-075954
公開番号 特開2002-277422
登録番号 特許第3388731号
出願日 平成13年3月16日(2001.3.16)
公開日 平成14年9月25日(2002.9.25)
登録日 平成15年1月17日(2003.1.17)
発明者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川路 均
  • 伊高 健治
  • 南 秀樹
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置 コモンズ 新技術説明会
発明の概要 【課題】 測定試料の評価を迅速に進めるとともに、熱電材料の探索、半導体のキャリア制御等において有効なコンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 金属マスクを用いてパターンニングされた試料10と、この試料10に微小な温度勾配をかける1対の試料台11,12と、前記温度勾配を測定する熱電対14と、前記試料10に接触するプローブピンアレイ15とを具備する。
従来技術、競合技術の概要


近年、化石エネルギー源の枯渇、あるいは温暖化現象・大気汚染などのため、余剰エネルギーの再利用が非常に重視されつつある。熱電材料は余剰熱を電気エネルギーに変換することができるため、従来の発電システムなどに取り付けることにより、新たな電気エネルギーを効率よく取り出せることになるため、より高効率の熱電材料の出現が期待されている。また、熱電材料に電流を流すと、ペルティエ効果によって一つの接合部が冷却されるため、新たな冷却システムとして利用されつつあり、より高効率な熱電材料が望まれている。
また、近年、ワイドギャップ半導体、透明半導体、有機半導体など、新規な半導体の開発が急ピッチで進められている。このような半導体をデバイスとして利用していくには、そのキャリア制御が重要である。例えば正孔キャリア型半導体と電子キャリア型半導体の接合(pn接合)などを形成することによって、トランジスター、FET、ダイオード、太陽電池、レーザー発振など、様々な特性のデバイスが生み出されることから、特にキャリア符号は重要な特性パラメーターである。
通常、キャリア制御は、ドープされていない試料を作製中もしくは作製後に不純物置換や不純物ガス雰囲気化での熱処理などによって行われるが、一般にドープされる量は非常に微量であるため、制御が容易ではなく試行錯誤となることが多い。とくにワイドギャップ半導体では、p・nのどちらか特定の符号になりやすい傾向があるため、これまでどちらかの型しか作製されていなかったり、作製条件の範囲が非常に狭かったりして、より精密な成長条件・ドープ条件探索が必要とされる。

産業上の利用分野


本発明は、コンビナトリアル試料の熱電特性測定方法及びその装置に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
パターニングされたコンビナトリアル試料を、二つ以上の熱浴間に取り付けることにより微小な温度勾配をかけ、前記コンビナトリアル試料から温度勾配方向の電気信号を多数取り出せるようにしたことを特徴とするコンビナトリアル試料の熱電特性測定方法。

【請求項2】
(a)パターニングされたコンビナトリアル試料と、(b)該試料に微小な温度勾配をかけるための二つ以上の熱浴と、(c)前記温度勾配を測定する手段と、(d)前記試料に接触もしくは接続し、温度勾配方向の電気信号を多数取り出せる部品を具備することを特徴とするコンビナトリアル試料の熱電特性測定装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2001075954thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 単一分子・原子レベルの反応制御 領域
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