TOP > 国内特許検索 > 酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

国内特許コード P020000029
整理番号 U1998P075
掲載日 2003年5月27日
出願番号 特願平11-136710
公開番号 特開2000-332136
登録番号 特許第3643864号
出願日 平成11年5月18日(1999.5.18)
公開日 平成12年11月30日(2000.11.30)
登録日 平成17年2月10日(2005.2.10)
発明者
  • 三浦 道子
  • 小野 剛史
  • マタウシュ ハンス・ユルゲン
出願人
  • 国立大学法人広島大学
発明の名称 酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ
発明の概要 動作電圧を下げることができ、素子の微細化が容易な新たな構造を有する不揮発性メモリに関する発明である。このメモリは、少なくとも1つの角構造を有し、角構造を挟んでソース電極との接合部とドレイン電極との接合部とが形成された半導体基板上に、半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲートが形成された不揮発性メモリである。ゲート酸化膜内に電気的に注入され、ゲート酸化膜内に捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように構成されている。
従来技術、競合技術の概要
半導体を用いたメモリデバイスのうち、記憶保持動作を必要としないメモリデバイスを不揮発性メモリと呼ぶ。Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(MOSFET)を使用する不揮発性メモリは、情報化社会の推進につれてますますその重要さを増している。図1は、現在主に使用されているフローティングゲート形不揮発性メモリの構造を示す断面図である。ソース電極104およびドレイン電極105との接合領域102および103が形成された半導体基板101上にトンネル酸化膜106が載り、この上に導電性ポリシリコンから成るフローティングゲート107が載り、この上に再び酸化膜108が載っており、この上にさらにコントロールゲート109が載っている。半導体基板101には基板電極111が接続され、コントロールゲート109にはゲート電極110が接続されている。基板電極111およびゲート電極110間、または基板電極111およびドレイン電極105間に電圧をかけて、キャリヤを、トンネル酸化膜106を通してフローティングゲート107に注入し、このキャリヤをコントロールゲート109とフローティングゲート107との間の酸化膜108によって閉じ込めておく。フローティングゲート107にキャリヤがある場合とない場合とではドレイン電流のしきい値電圧が異なるため、2つの異なる素子特性をもつ状態ができる。これら2つの状態として情報を記憶するようにしている。
産業上の利用分野
本発明は、不揮発性メモリに関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】 少なくとも1つの角構造を有し、前記角構造を挟んでソース電極との接合部とドレイン電極との接合部とが形成されたシリコン半導体基板上に、前記シリコン半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート酸化膜が形成され、前記ゲート酸化膜上にゲートが形成された不揮発性メモリであって、
前記ゲート酸化膜内に電気的に注入され、前記ゲート酸化膜の角構造にディープレベル捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように構成し、前記ゲート酸化膜の膜厚が10ナノメートル以上であることを特徴とする不揮発性メモリ。
産業区分
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close