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親水化した酸化物固体表面の高速疎水化方法

国内特許コード P020000112
掲載日 2003年5月27日
出願番号 特願平11-343788
公開番号 特開2001-158606
登録番号 特許第3548794号
出願日 平成11年12月2日(1999.12.2)
公開日 平成13年6月12日(2001.6.12)
登録日 平成16年4月30日(2004.4.30)
発明者
  • 亀井 雅之
  • 三橋 武文
出願人
  • 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 親水化した酸化物固体表面の高速疎水化方法
発明の概要 【課題】 印刷技術や防曇、防汚技術において従来は数週間程度かかっていた疎水化プロセスを実用レベルまで高速化するとともに、従来は不可能であった、酸化物固体表面の全領域または任意の局所的領域を親水性表面から疎水性表面に高速に変化させる手段の開発。
【解決手段】 本来疎水性であるアナターゼ型またはルチル型もしくは両者の混合の結晶構造を持つ二酸化チタン等の親水化した酸化物固体表面の所望の領域に、好ましくは水分子またはその変成物が吸着、結合、または接触している状態において、機械的な刺激を印加することにより、当該領域を疎水性に高速で変化させる。
従来技術、競合技術の概要



各種の物品表面に塗布した酸化チタン層などの固体表面に紫外線を照射することによって、疎水性であった酸化チタン層表面が親水化し、表面への水の接触角が5度程度以下になることは公知である。この現象を利用して、防曇、防汚の目的で各種物品の表面に酸化チタンを主成分とする被膜を形成して親水性とすることができる。一方、印刷などの画像形成システムにおいては、親水性表面を局所的に改質処理して疎水化し、親水・疎水性の画像を形成する方法(特公平5-30273号公報、特開平11-58831号公報等)や、電子セラミックスの分野で積層パターンを形成する際に部分的な疎水化処理を用いる方法(特開平5-97407号公報)なども知られている。

産業上の利用分野



本発明は、印刷技術における画像形成や電子セラミックス分野における微細パターンの形成、各種物品表面の防曇、防汚技術に用いられる固体表面の親水化処理、疎水化処理方法に関し、特に、親水化した酸化物固体表面の全領域または任意の局所的領域を高速で疎水化する方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
親水化した酸化物固体表面の所望の領域に加圧力や摩擦力による機械的刺激を印加することにより、当該領域を疎水性に変化させることを特徴とする酸化物固体表面の高速疎水化方法。

【請求項2】
酸化物固体表面の所望の領域に水分を補充した状態において、機械的刺激を印加することを特徴とする請求項1記載の酸化物固体表面の高速疎水化方法。

【請求項3】
酸化物がチタン原子を含む酸化物であることを特徴とする請求項1または2記載の酸化物固体表面の高速疎水化方法。

【請求項4】
チタン原子を含む酸化物がアナターゼ型またはルチル型もしくは両者の混合の結晶構造を持つ二酸化チタンであることを特徴とする請求項3記載の酸化物固体表面の高速疎水化方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP1999343788thum.jpg
出願権利状態 登録
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