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2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置 コモンズ

国内特許コード P03A000389
整理番号 Y00-P435
掲載日 2003年8月28日
出願番号 特願2001-091521
公開番号 特開2002-286640
登録番号 特許第3862964号
出願日 平成13年3月28日(2001.3.28)
公開日 平成14年10月3日(2002.10.3)
登録日 平成18年10月6日(2006.10.6)
発明者
  • 鎌田 憲彦
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置 コモンズ
発明の概要 【課題】 より簡便に、かつ精度よく非発光再結合パラメータの決定を可能とする2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法を提供する。
【解決手段】 禁制帯エネルギー幅以上の励起光または禁制帯エネルギー幅以下の励起光をパルス照射する手段と、このパルス照射に基づいた時分解応答の時定数を求める手段と、この時定数に基づき非発光再結合準位を定めるパラメータを測定する手段とを具備する。
従来技術、競合技術の概要


従来、このような分野の技術としては、以下に開示されるものがあった。
〔1〕K.Hoshino et al.,J.Lumin.79(1998)39.,Jpn.J.Appl.Phys.37(1998)3210.
〔2〕Proc.Int.Workshop on Nitride Semicond.,IPAP Conf.Series1 pp.544-547,2000.
半導体等の発光材料や発光デバイス試料に禁制帯エネルギー幅以上の励起(Above-Gap Excitation,AGE)光を照射すると、試料固有の発光(フォトルミネッセンス、PL)を生じる。このPL強度IA は、発光再結合率と禁制帯内準位を介した非発光再結合率との競合の結果定まっている。



次に、この状態で禁制帯エネルギー幅以下の励起(Below-Gap Excitation,BGE)光を同時照射すると、このBGE光のエネルギーが禁制帯内準位の一つと一致する場合、その準位のみが選択的に励起されることによって、試料内の非発光再結合率が変化し、そのため先の発光再結合率、非発光再結合率のバランスがずれてPL強度もIA からIA+B に変化する。従来はこの相対PL強度IA+B /IA 及びそのAGE強度依存性、BGE強度依存性の測定結果から、禁制帯内準位の非発光再結合パラメータを導出するようにしていた。

産業上の利用分野


本発明は、発光材料、発光デバイスの発光効率改善のために不可欠な、非発光再結合準位の定量測定方法及びその装置に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】 禁制帯エネルギー幅以上の励起光、禁制帯エネルギー幅以下の励起光を用いる2波長励起フォトルミネッセンスにおいて、前記禁制帯エネルギー幅以上の励起光または禁制帯エネルギー幅以下の励起光を試料にパルス照射し、前記試料固有の発光強度の時間依存性から、禁制帯内の非発光再結合準位の再結合パラメータを導出することを特徴とする2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法。
【請求項2】(a)禁制帯エネルギー幅以上の励起光または禁制帯エネルギー幅以下の励起光をパルス照射する手段と、
(b)該パルス照射に基づいた時分解応答の時定数を求める手段と、
(c)該時定数に基づき非発光再結合準位を定めるパラメータを測定する手段とを具備することを特徴とする2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2001091521thum.jpg
出願権利状態 登録
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