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酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会

国内特許コード P03A000617
整理番号 U2000P110
掲載日 2003年8月28日
出願番号 特願2000-297832
公開番号 特開2002-105642
登録番号 特許第3521223号
出願日 平成12年9月29日(2000.9.29)
公開日 平成14年4月10日(2002.4.10)
登録日 平成16年2月20日(2004.2.20)
発明者
  • 斎藤 秀俊
  • 大塩 茂夫
出願人
  • 学校法人長岡技術科学大学
発明の名称 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置 新技術説明会
発明の概要 大気開放型CVD法において、各種の基材表面に堆積する酸化物膜の構造、特に酸化物膜内の0.1nm~100μmの微細な構造を制御する方法、及び該方法に使用する装置を提供する。気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加することを特徴とする基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する。
従来技術、競合技術の概要 気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型気相折出(CVD)法は、密閉された反応容器内で減圧下に反応を行なう従来のCVD法に比較して、板状体やパイプ等の長尺物からなる基材を連続的に加工することができること、及び原料の気化温度や供給量、キャリヤーガスの流量、基材温度等を調整することによって、基材表面に形成する酸化物膜の膜厚や結晶構造等をある程度制御することができることから、注目を集めている。本発明者らは、この大気開放型CVD法において、基材表面に堆積する酸化物膜の構造を用途に合わせて制御することを鋭意検討した結果、本発明を完成したものである。
産業上の利用分野 大気開放型化学気相折出法により各種基材表面に酸化物膜を形成する際に、酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置
特許請求の範囲 【請求項1】 気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加することを特徴とする基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項2】 印加する電界が直流電界であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項3】 電界の強度が0.1~10000V/mmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項4】 電界の方向が酸化物膜を形成する基材に対して正又は負であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項5】 酸化物膜内の0.1nm以上100μm以下の構造を制御することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項6】 基材表面に堆積する酸化物膜がアモルファスあるいは多結晶構造であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項7】 基材が金属、金属酸化物、ガラス、陶磁器、セラミックス又はプラスチックから選択されたものであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法。
【請求項8】 キャリヤーガス供給手段、原料気化器、気化した原料の吹付手段及び基材の加熱手段を具備する大気開放型化学気相析出装置において、基材の加熱手段に近接する位置に電界印加手段を設けたことを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の酸化物膜の構造を制御する方法に使用する装置。
【請求項9】 基材の加熱手段と電界印加手段が電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項8に記載の装置。
【請求項10】 少なくとも気化した原料の吹付手段、基材の加熱手段及び電界印加手段を覆う防護チャンバーを設け、防護チャンバーの扉の開閉と電界印加手段のスイッチの開閉を連動させたことを特徴とする請求項8又は9に記載の装置。
産業区分
  • 表面処理
  • 無機化合物
  • 高分子化合物
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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