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微小物の3次元精密配列方法

国内特許コード P03A001341
掲載日 2003年8月28日
出願番号 特願平10-281778
公開番号 特開2000-107594
登録番号 特許第2967198号
出願日 平成10年10月2日(1998.10.2)
公開日 平成12年4月18日(2000.4.18)
登録日 平成11年8月20日(1999.8.20)
発明者
  • 長谷 正司
  • 江頭 満
  • 新谷 紀雄
出願人
  • 独立行政法人物質・材料研究機構
発明の名称 微小物の3次元精密配列方法
発明の概要 微細加工を可能とする、微小物の3次元精密配列法を提供する。 電極の任意の位置に導体製の突起を作り、対向電極を配置して、電極間を溶媒中に粒子状あるいは繊維状の微小物が分散している溶液で満たし、電界を加えて、微小物からなる鎖状体を電界集中部となる突起の位置にのみ鎖状体の長軸方向が電界方向に一致するように形成する。
産業上の利用分野 光学デバイス、磁気デバイス、半導体デバイス、マイクロマシン、センサー等の作製に有用な、微小物の3次元精密配列方法
特許請求の範囲 【請求項1】 電極の任意の位置に導体製の突起を作り、対向電極を配置して、電極間を、溶媒中に粒子状あるいは繊維状の微小物が分散している溶液で満たし、電界を加えて、微小物からなる鎖状体を、電界集中部となる突起の位置にのみ、鎖状体の長軸方向が電界方向に一致するように形成することを特徴とする微小物の3次元精密配列方法。
【請求項2】 請求項1の方法において、溶媒として液状高分子を用い、鎖状体の形成配列後に、温度上昇あるいは光照射により液状高分子を硬化させて配列を固定する微小物の3次元精密配列方法。
【請求項3】 請求項1または2の微小物の3次元精密配列方法において、光、イオンビームおよび電子線の少くとも1種を用いて電極の一部分を削り、削った部分の縁にできる盛り上がり部分を突起として電界集中部を形成する電極作製方法。
【請求項4】 レーザー光の照射により電極の一部分を削り、残った部分を突起として電界集中部を形成する請求項3の電極作製方法。
【請求項5】 請求項1または2の微小物の3次元精密配列方法において、蒸着法により、あるいは導電性プローブを用いて電極の一部分に導体を付着させてその導体を突起として電界集中部を形成する電極作製方法。
【請求項6】 請求項1または2の微小物の3次元精密配列方法において、鋳型に、液体状の金属を流し込み、あるいは金属をメッキして、その後、固体化した金属を鋳型から取り出して電界集中部となる突起を形成する電極作製方法。
産業区分
  • 処理操作
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
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