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ダイヤモンド多孔質体の製造方法 コモンズ 外国出願あり

国内特許コード P03A001448
整理番号 U1998P096
掲載日 2004年4月16日
出願番号 特願平10-164770
公開番号 特開2000-001393
登録番号 特許第3020154号
出願日 平成10年6月12日(1998.6.12)
公開日 平成12年1月7日(2000.1.7)
登録日 平成12年1月14日(2000.1.14)
発明者
  • 藤嶋 昭
  • 益田 秀樹
出願人
  • 学校法人東京大学
発明の名称 ダイヤモンド多孔質体の製造方法 コモンズ 外国出願あり
発明の概要 この発明は、孔深さと孔径との間のアスペクト比が大きい微細な孔を、高密度に有するダイヤモンド多孔質体を作製する方法を提供する。細孔が規則的に配列されているポーラスな陽極酸化アルミナをダイヤモンド基板上にマスクとして載せ、酸素を含むガス雰囲気のプラズマによってダイヤモンド基板およびマスクをエッチング処理することにより、ダイヤモンド基板にマスクと同一配列の細孔を形成する。この方法により形成される多孔構造は、マスクとして用いる陽極酸化アルミナの形状により決定される。陽極酸化アルミナは、均一な孔径の孔を持ち、陽極酸化時の条件、および後処理工程によりその孔径を制御することが可能である。更に、バリア層と呼ばれる陽極酸化アルミナ皮膜底部を選択的にエッチング除去することにより貫通孔を有する薄膜とすることができる。エッチング用マスクとして用いるポーラスな陽極酸化アルミナは、六方細密配列した細孔を有しており、通常、細孔径5nm~400nm、細孔間隔100nm~500nm、膜厚1~0.1ミクロンのものを用いる。基板とするダイヤモンドとしては、天然あるいは合成法により作製された単結晶、あるいは多結晶ダイヤモンドを用いる。表面にマスクを載せたダイヤモント基板をプラズマエッチング容器内のプラズマ電極上に置き、プラズマエッチングを施す。プラズマにより励起された活性種は、マスクの開口部分を通じてダイヤモンド基板に到達しダイヤモンドをエッチングする。その後、陽極酸化アルミナのマスクを水酸化ナトリウム等の溶液により溶解除去することにより、マスクと同一微細孔配列を有するダイヤモンドを得ることができる。
従来技術、競合技術の概要 ダイヤモンド多孔質体は、線引き用ダイ、センサ、電極材料等に用いられているが、この目的のためには、通常、ダイヤモンド基板上に耐エッチング性を有するマスクを、レジスト塗布、及び光露光パターニングにより形成し、その後、ドライエッチング法による選択的にエッチングする方法がとられている。より微細なパターンの形成を目的とした加工方法としては、光露光法に替え、電子ビームによりパターンを描画したのち、ドライエッチング処理により微細加工を行う方法が知られている。このほか、高強度レーザービームをダイヤモンドに照射し、ダイヤモンドを蒸発気化させることによりダイヤモンドの加工を行う方法等が知られている。
産業上の利用分野 ダイヤモンド多孔質体の製造方法
特許請求の範囲 【請求項1】 細孔が規則的に配列されているポーラスな陽極酸化アルミナをダイヤモンド基板上にマスクとして載せ、酸素を含むガス雰囲気のプラズマによって前記ダイヤモンド基板および前記マスクをエッチング処理することにより、前記ダイヤモンド基板に前記マスクと同一配列の細孔を形成することを特徴とする、ダイヤモンド多孔質体の製造方法。
産業区分
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中


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