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負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置 新技術説明会

国内特許コード P03A002957
掲載日 2003年12月22日
出願番号 特願2000-264418
公開番号 特開2001-140056
登録番号 特許第3610372号
出願日 平成12年8月31日(2000.8.31)
公開日 平成13年5月22日(2001.5.22)
登録日 平成16年10月29日(2004.10.29)
優先権データ
  • 特願1999-245934 (1999.8.31) JP
発明者
  • 岸本 直樹
  • 武田 良彦
  • 河野 健一郎
出願人
  • 独立行政法人物質・材料研究機構
発明の名称 負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置 新技術説明会
発明の概要 ダイナミックミキシング処理により、絶縁体材料を膜基材とした多元の元素から成る、機能性膜等を形成する。真空容器内部において、イオン源から試料基板表面へのイオン照射と、膜基材の試料基板表面への蒸着とを同時に行うダイナミックミキシング処理による膜形成方法であって、イオン源から照射されるイオンが負イオンで、膜基材が絶縁体物質であり、微粒子が分散されている微粒子分散膜を形成する。
産業上の利用分野
この出願の発明は、負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法およびその装置に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、負イオンを用いるダイナミックミキシング処理による膜形成方法によって、非線形光学材料等の機能性膜として有用な微粒子分散膜を形成することのできる、新しい膜形成方法とそのための装置に関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】真空容器内部において、イオン源から試料基板表面へのイオン照射と、膜基材の試料基板表面への蒸着とを同時に行うダイナミックミキシング処理による膜形成方法であって、イオン源から照射されるイオンが金属元素もしくは絶縁体中で過飽和にすることのできる非金属元素の負イオンで、試料基板に同時蒸着する膜基材が絶縁体物質であり、前記金属元素もしくは前記非金属元素の微粒子が膜基材中に分散されている微粒子分散膜を形成することを特徴とする負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法。
【請求項2】膜基材が、SiO2,Al23,MgO,MgO-Al23,LiNb
2およびBaF2のうちの1種または2種以上である請求項1の膜形成方法。
【請求項3】負イオンが、Cu、Co、Ni、Zn、Mo、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Hg、B、C、Si、P、Ge、As、SeおよびSbのうちのいずれかの負イオンである請求項1または2の膜形成方法。
【請求項4】微粒子は、その径が1~20nmである請求項1ないし3のいずれかの膜形成方法。
【請求項5】微粒子が単結晶である請求項1ないし4のいずれかの膜形成方法。
【請求項6】非線形光学膜を形成する請求項1ないし5のいずれかの膜形成方法。
【請求項7】請求項1ないし6のいずれかの方法のための装置であって、真空容器内部に、試料基板表面に金属元素もしくは絶縁体中で過飽和にすることのできる非金属元素の負イオンを照射するイオン源と、膜基材を加熱蒸発し試料基板表面に膜基材蒸気を蒸着させるための蒸着源とを具備し、負イオンと膜基材蒸発粒子の各々の粒子束の制御手段を備えており、膜の形成をダイナミックミキシング処理により実施することを特徴とする負イオン照射・同時蒸着による膜形成装置。
産業区分
  • 表面処理
  • 光学装置
  • 電子管
国際特許分類(IPC)
出願権利状態 権利存続中
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