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微細パターンの作製方法 新技術説明会

国内特許コード P03A003486
整理番号 WASEDA-44
掲載日 2004年3月25日
出願番号 特願2000-272664
公開番号 特開2002-080973
登録番号 特許第4811543号
出願日 平成12年9月8日(2000.9.8)
公開日 平成14年3月22日(2002.3.22)
登録日 平成23年9月2日(2011.9.2)
発明者
  • 逢坂 哲彌
  • 横島 時彦
  • 清水 さなえ
  • 田中 厚志
出願人
  • 学校法人早稲田大学
  • 富士通株式会社
発明の名称 微細パターンの作製方法 新技術説明会
発明の概要 基板上にジメチルアミンボランを還元剤とする無電解めっき浴を用いて軟磁気特性を有する所用の微細パターンめっき膜を形成する方法において、上記所用のパターン部分に選択的に均質な無電解めっき膜を形成するように上記無電解めっき浴に微量の有機安定剤を添加すると共に、このめっき浴中の不純物を除去し、かつ連続的に適度の攪拌を行うことを特徴とする微細パターンの作製方法。本発明によれば、所用パターンに選択的に軟磁気特性を有する均質なめっき膜を形成することができる。
産業上の利用分野
本発明は、ジメチルアミンボランを還元剤とする無電解めっき浴を用いて基板上に軟磁気特性を有する所用の微細パターンを形成する微細パターンの作製方法に関する。
特許請求の範囲 【請求項1】 基板上にジメチルアミンボランを還元剤とし、金属イオンと錯化剤とを含み、上記金属イオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン、鉄イオンの2種以上を含む無電解めっき浴を用いて軟磁気特性を有する所用の微細パターンめっき膜を形成する方法において、上記所用のパターン部分に選択的に均質な無電解めっき膜を形成するように上記無電解めっき浴に有機安定剤として分子中に硫黄を含む有機化合物を0.01~10ppmの範囲で上記所用のパターン部分に対する選択析出性を与える効果量添加すると共に、このめっき浴中の不純物を除去し、かつ連続的に攪拌を行うことを特徴とする微細パターンの作製方法。
【請求項2】 上記金属イオンとしてコバルトイオン及び鉄イオンの2種を含む請求項1記載の微細パターンの作製方法。
【請求項3】 上記分子中に硫黄を含む有機化合物としてチオジグリコール酸1~1.5ppmを添加したものである請求項1又は2記載の微細パターンの作製方法。
【請求項4】 上記分子中に硫黄を含む有機化合物としてチオ尿素0.2~0.3ppmを添加したものである請求項1又は2記載の微細パターンの作製方法。
【請求項5】 上記分子中に硫黄を含む有機化合物として2-アミノチアゾール0.3~0.5ppmを添加したものである請求項1又は2記載の微細パターンの作製方法。
【請求項6】 攪拌を、基板の揺動、回転ディスク電極、パドルめっき装置、循環めっき液攪拌装置の少なくともいずれかを用いて、軟磁気特性を劣化させない速度で行うようにした請求項1乃至5のいずれか1項記載の微細パターンの作製方法。
【請求項7】 めっき浴中の不純物の除去を、めっき浴作製時のめっき浴の濾過及びめっき時のめっき浴の濾過のいずれか又は両方にて行うようにした請求項1乃至6のいずれか1項記載の微細パターンの作製方法。
【請求項8】 めっき浴を連続濾過し、かつパドルめっき装置にて60~80rpmの速度で攪拌を行いながら無電解めっきを行って、所用のパターン部分に均質な軟磁気特性を有する無電解めっき膜を形成するようにした請求項1乃至5のいずれか1項記載の微細パターンの作製方法。
【請求項9】 レジストパターンを作製した基板上に上記微細パターンめっき膜を形成する請求項1乃至8のいずれか1項記載の微細パターンの作製方法。
産業区分
  • 表面処理
  • 磁性材料
  • 電子部品
  • 電子応用機器
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
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