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超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法

国内特許コード P04A004168
整理番号 E060P30
掲載日 2004年5月14日
出願番号 特願2002-254050
公開番号 特開2004-091253
登録番号 特許第4014473号
出願日 平成14年8月30日(2002.8.30)
公開日 平成16年3月25日(2004.3.25)
登録日 平成19年9月21日(2007.9.21)
発明者
  • 細野 秀雄
  • 太田 裕道
  • 神谷 利夫
  • 平野 正浩
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • HOYA株式会社
発明の名称 超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法
発明の概要 【課題】従来のNiO薄膜は、多結晶体の集合体であり、表面の凹凸が大きい。そのため、例えば、NiO多結晶薄膜上にZnO薄膜を成長させても、ZnOの結晶性が悪くなり、ヘテロ接合を製造することができないという問題があった。
【構成】気相成長法により成膜した多結晶p型酸化物NiO薄膜をアニールして単結晶としたことを特徴とするp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜。原子レベルで平坦なテラスとサブナノメータ(nm)のステップから構成されている。室温の導電率が10-4S/cm以上であり、アクセプターとして含有させるLiの濃度を30at%以下で変化させることにより導電率を制御できる。基板温度を100℃以下に保持し、気相成長法により、耐熱性単結晶基板上に多結晶p型酸化物NiO薄膜を成膜し、次いで、600~1500℃でアニールして単結晶とする。
【選択図】 図2
従来技術、競合技術の概要


NiOは反強磁性金属単結晶基板として磁気素子(特開平10-36956号公報)や高密度磁気記録媒体用の配向性下地膜(特開平7-97296号公報、特開平9-125233号公報)として用いられることが知られている。また、発光ダイオードやレーザーダイオード(LD)などの透光性接触部として用いることが知られている(特開平2001-7398号公報)。

産業上の利用分野


本発明は、有機ELディスプレイ等の表示デバイス等のホール注入電極や、発光ダイオード(LED)、レーザーダイオード(LD)、紫外線検出器のp型層として使用できるp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
基板温度を100℃以下に保持し、気相成長法により、耐熱性単結晶基板上に多結晶p型酸化物NiO薄膜を成膜し、次いで、600~1500℃でアニールして単結晶とすることを特徴とするp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法。

【請求項2】
気相成長法におけるターゲットとしてLiを含有するNiO焼結体を用いることを特徴とする請求項記載のp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法。

【請求項3】
耐熱性単結晶基板としてYSZ(イットリア安定化ジルコニア)を用いることを特徴とする請求項記載のp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法。

【請求項4】
p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜が原子レベルで平坦なテラスとサブナノメータ(nm)のステップから構成されていることを特徴とする請求項1記載のp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法。

【請求項5】
p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜がアクセプターとしてLiを30at%以下含有することを特徴とする請求項1記載のp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法。

【請求項6】
p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の室温の導電率が10-4S/cm以上であることを特徴とする請求項1記載のp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2002254050thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO 細野透明電子活性プロジェクト 領域
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