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周波数変調形磁界センサー コモンズ

国内特許コード P04P001015
整理番号 Y2002-P264
掲載日 2004年6月4日
出願番号 特願2002-267883
公開番号 特開2004-108778
登録番号 特許第4090829号
出願日 平成14年9月13日(2002.9.13)
公開日 平成16年4月8日(2004.4.8)
登録日 平成20年3月7日(2008.3.7)
発明者
  • 毛利 佳年雄
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 周波数変調形磁界センサー コモンズ
発明の概要 【課題】小型の磁性体ヘッドで高感度な周波数変調形磁界センサーを提供する。
【解決手段】2個のCMOSインバータ1,2と、抵抗4と直列に接続されるアモルファスワイヤ5と、キャパシタンスC(3)よりなるマルチバイブレータ発振回路Aを有する磁界センサーにおいて、電源電圧を3V以下、抵抗R(4)とアモルファスワイヤ5の直列抵抗を500Ω以下に設定し、前記2個のCMOSインバータ1,2の入力電圧が閾値電圧に保持される時間幅が外部印加磁界によって変化するように構成した。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


周波数変調回路にはキャリア周波数発振回路が必要であり、1990年ごろからはCMOSインバータCRマルチバイブレータ回路が、パーソナルコンピュータや携帯電話機CPUなどのタイミング回路として広く使用され、2000年以降は、年間数億個が生産されており、最も一般的な発振回路となっている。



【特許文献1】
特開平9-329655号公報(第3-5頁、図1)

産業上の利用分野


本発明は、周波数変調形磁界センサーに係り、特に小形な磁気ヘッドなど磁界検出センサーに関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
(a)第1のCMOSインバータと第2のCMOSインバータとの直列回路と、
(b)前記第1のCMOSインバータと第2のCMOSインバータの直結端子に接続される高透磁率磁性体と抵抗との直列回路と、
(c)該高透磁率磁性体と抵抗との直列回路に接続される直結端子とは反対側の端子と前記第2のCMOSインバータの入力端が接続されるとともに、前記直結端子とは反対側の端子と前記第1のCMOSインバータの出力端に接続されるキャパシタンスよりなるマルチバイブレータ発振回路を備え、
(d)電源電圧を3V以下、前記高透磁率磁性体と抵抗との直列回路の抵抗を500Ω以下に設定し、前記第1及び第2のCMOSインバータの入力電圧が前記第1及び第2のCMOSインバータの閾値電圧に保持される時間幅が外部印加磁界によって変化するように構成したことを特徴とする周波数変調形磁界センサー。

【請求項2】
請求項1記載の周波数変調形磁界センサーにおいて、前記直結端子と接地との間に小容量キャパシタンスを挿入し、周波数変調感度を向上させたことを特徴とする周波数変調形磁界センサー。

【請求項3】
請求項1記載の周波数変調形磁界センサーにおいて、前記高透磁率磁性体としてアモルファスワイヤまたは薄膜を用いることを特徴とする周波数変調形磁界センサー。

【請求項4】
請求項1記載の周波数変調形磁界センサーにおいて、前記高透磁率磁性体が磁気インピーダンス効果を利用することを特徴とする周波数変調形磁界センサー。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2002267883thum.jpg
出願権利状態 登録
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