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pチャネル電界効果トランジスタの製造方法 コモンズ

国内特許コード P04P001025
整理番号 A111P65
掲載日 2004年6月4日
出願番号 特願2002-274343
公開番号 特開2004-109020
登録番号 特許第3910512号
出願日 平成14年9月20日(2002.9.20)
公開日 平成16年4月8日(2004.4.8)
登録日 平成19年2月2日(2007.2.2)
発明者
  • 川原田 洋
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 pチャネル電界効果トランジスタの製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なpチャネル電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】液体電解質をゲート8として使用し、オゾン処理2により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタを得る。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


従来、市販のSiMOSFETを基礎とするイオン感応性FET(ISFET)は、酸化膜や酸化膜/Si界面へのイオンの侵入による動作不良を防止するため、Si酸化膜をSi窒化膜で覆う構造となっている。このSi酸化膜を覆うSi窒化膜表面が感応部となることから、感応部が酸化膜/Si界面から離れることになり、表面の電位変化に対応する電流変化が小さく、高感度化が困難である。



これに対応するため、感応膜や保護膜としてのシリコン窒化膜やアルミナ膜の稠密性を上げ、レーザーアブレーション等を使用し、膜厚を薄くして感応性を高くする成膜技術を用いている。



【非特許文献1】
H.Kawarada,Surface Science Reports 26(1996)205



【非特許文献2】
G.W.Swain,Advanced Materials,6,(1994)388



【非特許文献3】
藤嶋 昭;化学と工業51,(1998)207

産業上の利用分野


本発明は、液体電解質をゲートとして使用し、水素終端と酸素終端あるいは水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしたpチャネル電界効果トランジスタの製造方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
液体電解質をゲートとして使用し、オゾン処理により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタの製造方法

【請求項2】
請求項1記載のpチャネル電界効果トランジスタの製造方法において、前記水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面の酸素の被覆率を高くすることにより閾値電圧を負の方向にシフトすることを特徴とするpチャネル電界効果トランジスタの製造方法
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2002274343thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 電子・光子等の機能制御 領域
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