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レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法 新技術説明会

国内特許コード P04A004234
整理番号 U2002P111
掲載日 2004年6月4日
出願番号 特願2002-273126
公開番号 特開2004-111705
登録番号 特許第3780338号
出願日 平成14年9月19日(2002.9.19)
公開日 平成16年4月8日(2004.4.8)
登録日 平成18年3月17日(2006.3.17)
発明者
  • 加藤 有行
  • 飯田 誠之
  • ナジャホフ ヒクメット
出願人
  • 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法 新技術説明会
発明の概要

【課題】可視域において大きな光学利得と、波長可変性とを有する新規なレーザを提供する。
【解決手段】Eu(M:Ga,Al及びInの少なくとも一種、(x,y,z)=(1,2,4)又は(2,2,5))なる化学式の希土類硫化化合物の単結晶からレーザ用光学媒質を構成する。
【選択図】    なし

従来技術、競合技術の概要
従来の固体レーザとしては、バンドギャップ間の遷移を利用した半導体レーザ(GaAs及びGaNなど)、並びに母体中の不純物中心の遷移を利用したレーザ(Al:Tiなど)が知られている。前者の半導体レーザは、母体の光学遷移を利用するため、光学利得が非常に大きいという利点を有するが、母体固有の発振波長でしか発振することができないという問題がある。後者の不純物中心レーザは、フォノンが関与する遷移を利用することによって波長可変性を呈する場合もあるが、不純物の光学遷移を用いることから、十分な光学利得を得ることができないという問題がある。
【0003】
一方、希土類元素を不純物としてではなく、構成元素として含む化合物は古くから知られているが、現在までにレーザ用光学媒質として研究されているものは、PrCl(Appl.Phys.Lett, 22(1973)87)及びNd0.5La0.512(Appl.Phys.Lett, 23(1973)519)による赤色~赤外域での誘導放出を観測した例が報告されているが、波長可変性を有しないという欠点があった。
【0004】
したがって、現状においては、大きな光学利得を有し、波長可変性のレーザを提供することができないでいた。
産業上の利用分野
本発明は、波長可変可視域固体レーザに関する。
特許請求の範囲 【請求項1】Eu(M:Ga,Al及びInの少なくとも一種、(x,y,z)=(1,2,4)又は(2,2,5))なる化学式の希土類硫化化合物の結晶体からなることを特徴とする、レーザ用光学媒質。
【請求項2】前記希土類硫化化合物はEuGaであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項3】前記希土類硫化化合物はEuAlであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項4】前記希土類硫化化合物はEuInであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項5】前記希土類硫化化合物はEuGaであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項6】前記希土類硫化化合物はEuAlであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項7】前記希土類硫化化合物はEuInであることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項8】前記希土類硫化化合物を構成するEu内の光学遷移を用いることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一に記載のレーザ用光学媒質。
【請求項9】請求項1~8のいずれか一に記載のレーザ用光学媒質を含むレーザ。
【請求項10】EuS粉末と、Ga粉末、Al粉末、及びIn粉末の少なくとも一種とをHS雰囲気中で固相反応させて、Eu(M:Ga,Al及びInの少なくとも一種、(x,y,z)=(1,2,4)又は(2,2,5))なる化学式の希土類硫化化合物の粉末を作製した後、ヨウ素輸送法により、前記化学式を有する前記希土類硫化化合物の単結晶を作製することを特徴とする、レーザ用光学媒質の製造方法。
産業区分
  • 固体素子
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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