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シリコン酸化物の改質方法 コモンズ

国内特許コード P04A004551
掲載日 2004年8月13日
出願番号 特願平09-253448
公開番号 特開平11-097438
登録番号 特許第3225268号
出願日 平成9年9月18日(1997.9.18)
公開日 平成11年4月9日(1999.4.9)
登録日 平成13年8月31日(2001.8.31)
発明者
  • 鮫島 俊之
出願人
  • 学校法人東京農工大学
発明の名称 シリコン酸化物の改質方法 コモンズ
発明の概要 MOS型トランジスタの作製には、シリコン酸化物からなるゲート絶縁膜の形成が必ず必要である。この場合、良好なゲート絶縁膜を形成することが、良好なトランジスタ特性のMOS型トランジスタを得るために必要な条件である。最近、製造コストの低減、ガラス等の耐熱性の低い基板上への回路形成の要請から、トランジスタ作製プロセスの低温化が重要視されている。絶縁膜形成を低温プロセスで行うために、プラズマCVD、スパッタリング等の成膜技術が開発されてきた。しかし、低温で絶縁膜を作製すると、堆積された膜中や下地の半導体にプラズマ等のダメージが与えられ、絶縁膜/半導体界面に欠陥が生じ、電気的特性が劣化するという問題があった。さらに、低温で形成された絶縁膜及び絶縁基体は、一般に膜中に欠陥が多く、トランジスタの特性の劣化の一因となっていた。本発明の目的は、かかる問題を解決し、良好な特性の半導体装置を、低温でかつ容易な方法で製造することを可能とする、シリコン酸化物の改質方法を提供することにある。
従来技術、競合技術の概要 単結晶MOS型トランジスタは、良好な特性を有するため、広く電子デバイスを構成する素子として用いられている。また、多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)或いはアモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si:H TFT)のようなMOS型トランジスタが開発され、種々の電子デバイスに応用されるようになった。さらに、半導体のp/n接合を用いる太陽電池は、クリーンエネルギー源として注目され、現在、開発が盛んに行われている。
産業上の利用分野 シリコン酸化物の改質方法およびこの改質方法の半導体装置の製造への適用
特許請求の範囲 【請求項1】 シリコン基板上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程、および前記ゲート絶縁膜を、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において、加熱処理する工程を具備することを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。
【請求項2】 絶縁基板上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程、および前記ゲート絶縁膜を、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において、加熱処理する工程を具備することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項3】 シリコン基板にMOS型トランジスタを形成する工程、および前記MOS型トランジスタを、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において加熱処理して、前記MOS型トランジスタの、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を改質する工程を具備することを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。
【請求項4】 絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程、および前記薄膜トランジスタを、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において加熱処理して、前記薄膜トランジスタの、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を改質する工程を具備することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項5】 太陽電池素子の周囲にパッシベーション絶縁膜を形成する工程、および前記パッシベーション絶縁膜を、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において加熱処理して、前記パッシベーション絶縁膜を改質する工程を具備することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項6】 シリコン酸化物基板を、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において、加熱処理する工程、および前記シリコン酸化物基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を具備することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
産業区分
  • 固体素子
  • 太陽熱利用
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
※ 国立大学法人東京農工大学では、先端産学連携研究推進センターにおいて、知的財産の創出・権利化・活用に取り組んでいます。上記の特許・技術の内容および導入に興味・関心がありましたら、当センターまでお気軽にお問い合わせください。


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