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Al-N系光吸収体 コモンズ

国内特許コード P04A004635
整理番号 Y01-P337
掲載日 2004年8月27日
出願番号 特願2001-367081
公開番号 特開2002-277627
登録番号 特許第3880845号
出願日 平成13年11月30日(2001.11.30)
公開日 平成14年9月25日(2002.9.25)
登録日 平成18年11月17日(2006.11.17)
優先権データ
  • 特願2000-369995 (2000.12.5) JP
発明者
  • 石黒 孝
出願人
  • 学校法人東京理科大学
発明の名称 Al-N系光吸収体 コモンズ
発明の概要 固定性がよく、材料のコストが低く、しかも広帯域に大きな吸収を示すことができるAl-N系光吸収体およびその製造方法を提供する。Alをターゲット材とする平行平板型スパッタリング装置を用いて、Ar,N2 の混合ガスをスパッタガス3とし、その混合比及び堆積時間(膜厚)を制御することにより、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する1μm以下の膜厚の膜4を形成する。
従来技術、競合技術の概要
従来、一般に光吸収膜には“金黒”で知られたAu原子の煤状体がある。
【0003】
また、この種の膜に類似する研究はDao-yuang et al.:J.Vac.Sci.Technol.A14(6),(1996)3092に見られるが、これは窒素ガス濃度のみに着目し、膜中窒素濃度のみが膜特性を決定すると結論付けている。また、光学特性評価も0.2~1.1μmの範囲でしか成されていない。
産業上の利用分野
本発明は、Al-N系光吸収体に関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】 Alをターゲット材とする平行平板型スパッタリング装置を用いて、Ar,N2 の混合ガスをスパッタガスとし、形成されるAl-N系膜であって、AlとAlNの混合状態となし、成長に伴いAl-N系膜の表面の凹凸を増大させ、該Al-N系膜の表面の反射率を著しく低下させ、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する1μm以下の膜厚の膜からなるAl-N系光吸収体。
【請求項2】 請求項1記載のAl-N系光吸収体において、前記スパッタリング装置はRFスパッタリング装置であることを特徴とするAl-N系光吸収体。
【請求項3】 請求項1記載のAl-N系光吸収体において、前記スパッタリング装置はDCスパッタリング装置であることを特徴とするAl-N系光吸収体。
【請求項4】 請求項1記載のAl-N系光吸収体において、前記作製されたAl-N系光吸収体の膜は、基板側では金属光沢を有し、膜表面側では黒色となっており、前記膜表面で吸収しきれなかった光を再び前記膜基板側で反射し戻す傾斜機能膜であることを特徴とするAl-N系光吸収体。
産業区分
  • 光学装置
  • 表面処理
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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