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ビニルシランの製造方法 コモンズ

国内特許コード P04P001330
整理番号 A121P213
掲載日 2004年11月17日
出願番号 特願2003-051745
公開番号 特開2004-256494
登録番号 特許第4296006号
出願日 平成15年2月27日(2003.2.27)
公開日 平成16年9月16日(2004.9.16)
登録日 平成21年4月17日(2009.4.17)
発明者
  • 高橋 保
出願人
  • 科学技術振興機構
発明の名称 ビニルシランの製造方法 コモンズ
発明の概要 位置選択的に、また、立体選択的にビニルシランを得る手法の提供。アセチレン(2)とシラン化合物(3)とを、チタン化合物(4)存在下、反応させてビニルシラン(1)を得る。【化1】[式中、R、R、A、A及びAは、それぞれ、同一又は異なって、水素原子、炭化水素基等を表す。X及びXは脱離基、L及びLは配位子を示す。]
産業上の利用分野 ビニルシランの製造方法、より詳しくは位置及び立体選択性を制御することができるビニルシランの製造方法
特許請求の範囲 【請求項1】下記式(1)で示されるビニルシランの製造方法であって、
【化1】<EMI LX=0250 HE=050 WI=073 ID=000022 LY=1948>[式中、R1及びR2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1~C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1~C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6~C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、A1、A2及びA3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1~C20炭化水素基;置換基を有していてもよいピリジニル基;置換基を有していてもよいC1~C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6~C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、但し、A1、A2及びA3のうち少なくとも一つは水素原子以外の基である。]下記式(2)で示されるアセチレン化合物と、
【化2】<EMI LX=0250 HE=026 WI=073 ID=000023 LY=0509>[式中、R1及びR2は、上記の意味を有する。]下記式(3)で示されるシラン化合物と
【化3】<EMI LX=0250 HE=044 WI=073 ID=000024 LY=0971>[式中、A1、A2及びA3は、上記の意味を有する。]を、下記式(4)で示されるチタン化合物存在下、反応させることを特徴とするビニルシランの製造方法。
【化4】<EMI LX=0250 HE=038 WI=063 ID=000025 LY=1640>[式中、L1及びL2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、非局在化環状η5-配位系配位子を示す。但し、L1及びL2は、架橋されていてもよい。X1及びX2は、C1~C20炭化水素基である。]
【請求項2】前記チタン化合物を触媒量用いる、請求項1に記載のビニルシランの製造方法。
【請求項3】前記非局在化環状η5-配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、置換されていてもよいインデニル基、置換されていてもよいフルオレニル基又は置換されていてもよいアズレニル基である、請求項1又は2に記載のビニルシランの製造方法。
【請求項4】R1が置換基を有していてもよいシリル基であり、かつ、R2が、水素原子又は置換基を有していてもよいC1~C6炭化水素基である、あるいは、R1が置換基を有していてもよいC1~C20炭化水素基であり、かつ、R2が、水素原子である、請求項1~3のいずれかに記載のビニルシランの製造方法。
【請求項5】A1、A2及びA3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1~C10炭化水素基;置換基を有していてもよいピリジニル基又は置換基を有していてもよいC1~C20アルコキシ基である、請求項1~4のいずれかに記載のビニルシランの製造方法。
産業区分
  • 有機化合物
  • その他無機化学
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 分子複合系の構築と機能 領域
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