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ジハロゲン化ビフェニル誘導体およびその製造方法 コモンズ

国内特許コード P04P001331
整理番号 A121P215
掲載日 2004年11月17日
出願番号 特願2003-051876
公開番号 特開2004-256500
登録番号 特許第4303978号
出願日 平成15年2月27日(2003.2.27)
公開日 平成16年9月16日(2004.9.16)
登録日 平成21年5月1日(2009.5.1)
発明者
  • 高橋 保
  • 李 艶忠
出願人
  • 科学技術振興機構
発明の名称 ジハロゲン化ビフェニル誘導体およびその製造方法 コモンズ
発明の概要 任意の置換基を有する非対称2,2’-ジハロゲン化ビフェニル誘導体を簡便かつ高収率で得る手法の提供。遷移金属化合物存在下、メタラシクロペンタジエン(2)とアセチレン(3)を反応させ、次いでこれをハロゲン化剤で処理することで、ジハロゲン化ビフェニル誘導体(1)を得る。【化1】[式中、R、R、R、R、R、R、R及びRは、それぞれ、同一又は異なって、水素原子、炭化水素基等を表す。A、A及びAは炭化水素基等を示す。X及びXはハロゲン原子、Mは遷移金属、L及びLは配位子を示す。]
産業上の利用分野 ジハロゲン化ビフェニル誘導体、より詳しくは2,2’-ジハロゲン化ビフェニル誘導体およびその製造方法
特許請求の範囲 【請求項1】 下記式(1)で示される非対称ジハロゲン化ビフェニル誘導体。
【化1】<EMI LX=0250 HE=045 WI=085 ID=000016 LY=1948>[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいC1~C20炭化水素基であり、R5、R6、R7及びR8は、水素原子であり、ただし、R1及びR2、R2及びR3、並びに、R3及びR4は、互いに架橋してC4~C20飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式-N(B)-で示される基(式中、Bは水素原子又はC1~C20炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、X1及びX2は、ハロゲン原子である。]
【請求項2】 X1及びX2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、塩素、臭素またはヨウ素である、請求項1に記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体。
【請求項3】 下記式(1)で示されるジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法であって、
【化2】<EMI LX=0250 HE=045 WI=085 ID=000017 LY=0560>[式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいC1~C20炭化水素基であり、R5、R6、R7及びR8は、水素原子であり、ただし、R1及びR2、R2及びR3、並びに、R3及びR4は、互いに架橋してC4~C20飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式-N(B)-で示される基(式中、Bは水素原子又はC1~C20炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、X1及びX2は、ハロゲン原子である。] 遷移金属化合物存在下、下記式(2)で示されるメタラシクロペンタジエンと、
【化3】<EMI LX=0250 HE=045 WI=067 ID=000018 LY=1537>[式中、R1、R2、R3及びR4は、上記の意味を有する。Mは、遷移金属を示し、L1及びL2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、アニオン性配位子を示す。但し、L1及びL2は、架橋されていてもよい。] 下記式(3)で示されるアセチレンと
【化4】<EMI LX=0250 HE=045 WI=103 ID=000019 LY=2308>[式中、X1、R5、R6、R7及びR8は、上記の意味を有する。A1、A2及びA3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1~C20炭化水素基;置換基を有していてもよいピリジニル基;置換基を有していてもよいC1~C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6~C20アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基;置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基である。]を反応させ反応混合物を得る工程と、前記反応混合物をハロゲン化剤で処理する工程とを含むことを特徴とするジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
【請求項4】 前記遷移金属化合物が、パラジウム錯体又はニッケル錯体である、請求項3に記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
【請求項5】 Mが周期表第4族から第6族の遷移金属である、請求項3又は4に記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
【請求項6】 Mがチタン、ジルコニウム、ハフニウムである、請求項3~5のいずれかに記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
【請求項7】 前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5-配位系配位子であって、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基である、請求項3~6のいずれかに記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
【請求項8】 A1、A2及びA3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいC1~C10炭化水素基である、請求項3~7のいずれかに記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
【請求項9】 X1及びX2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、塩素、臭素またはヨウ素である、請求項3~8のいずれかに記載のジハロゲン化ビフェニル誘導体の製造方法。
産業区分
  • 有機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 分子複合系の構築と機能 領域
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