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カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 コモンズ

国内特許コード P04A005606
整理番号 ShIP‐Z102
掲載日 2005年1月18日
出願番号 特願2001-086119
公開番号 特開2002-289627
登録番号 特許第3584284号
出願日 平成13年3月23日(2001.3.23)
公開日 平成14年10月4日(2002.10.4)
登録日 平成16年8月13日(2004.8.13)
発明者
  • 松井 宏樹
  • 倉本 護
  • 小野 努
  • 野瀬 康男
  • 百瀬 与志美
  • 立岡 浩一
  • 桑原 弘
出願人
  • 学校法人静岡大学
発明の名称 カルシウムシリサイド薄膜の成長方法 コモンズ
従来技術、競合技術の概要
半導体シリサイド材料には、生体に無害で豊富な資源の元素からなる材料が多く、環境にやさしい光電変換デバイスへの応用が期待されている。中でも、CaSiは可視領域に対応する大きなギャンドギャップを有し、可視領域光電変換デバイス、特に太陽電池への応用が期待されている。
産業上の利用分野
本発明は、カルシウムシリサイド(CaSi)薄膜の成長方法に関し、詳しくは光電変換素子への応用が可能なカルシウムシリサイド薄膜の成長方法に係る。
特許請求の範囲 【請求項1】マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子と前記蒸気化されたカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とするカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
【請求項2】前記マグネシウムシリサイド薄膜は、シリコン基板を密閉空間内でマグネシウム蒸気雰囲気に曝して前記シリコン基板とマグネシウム蒸気とを固気反応させることにより成長されることを特徴とする請求項1記載のカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
【請求項3】前記シリコン基板を密閉空間内でマグネシウム蒸気雰囲気に曝す工程は、耐熱容器内にシリコン基板とマグネシウムを共存させ、蓋で前記容器を密閉し、この蓋付容器を真空容器内に設置し、前記蓋付容器を前記固気反応が生じる温度に加熱することによりなされることを特徴とする請求項2記載のカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
【請求項4】前記マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝す工程は、耐熱容器内に前記シリコン基板とカルシウム片を共存させ、蓋で前記容器を密閉し、この蓋付容器を真空容器内に設置し、前記蓋付容器を前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とが置換反応を生じる温度に加熱することによりなされることを特徴とする請求項1記載のカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
産業区分
  • 固体素子
  • 表面処理
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
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