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大面積負イオン源 コモンズ

国内特許コード P04A005611
整理番号 ShIP‐Z202
掲載日 2005年1月18日
出願番号 特願2002-181340
公開番号 特開2004-030962
登録番号 特許第3653547号
出願日 平成14年6月21日(2002.6.21)
公開日 平成16年1月29日(2004.1.29)
登録日 平成17年3月11日(2005.3.11)
発明者
  • 三重野 哲
  • 鶴田 修一
出願人
  • 国立大学法人静岡大学
発明の名称 大面積負イオン源 コモンズ
発明の概要 【課題】大面積で高密度であり且つ定常的に負イオンを生成することができる大面積負イオン源を提供する。
【解決手段】一方向に長く形成され内部を真空引きされる真空容器1と、上記真空容器1の外周に設けられ上記真空容器1内に長手方向に沿って磁場を形成する磁場発生手段3と上記真空容器1内に負性ガスを供給する負性ガス供給手段5と上記真空容器1内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段9とを備え、上記真空容器1内の後部側に多数の孔13が穿設された孔付き遮蔽板11を設ける。真空容器1内の後部側に配置した孔付き遮蔽板11の孔3からストリングプラズマSPを放出させ、ストリングプラズマSPの周囲に負イオンMを蓄積させ、これにより大面積の負イオンを作る。
【選択図】  図5
従来技術、競合技術の概要


従来、反応性プラズマを用いて集積回路の微細プラズマエッチングが行われている。上記反応性プラズマを用いる微細プラズマエッチング方法の場合、集積回路の加工サイズが0.1μm以下になると、エッチング基板に蓄積する正イオンが大きな電場を発生し、これが絶縁破壊を生じさせて、基板に孔を開けてしまい、製品の歩留まりが悪くなるという問題がある。



この正電荷の効果を取り除くためには、大面積負イオンビームを用いた微細プラズマエッチングが有利である。この場合、基板に入射した負イオンからは、容易に電子が脱離して正電荷と結合し中和されるので、電荷蓄積の効果がほとんどなく、絶縁破壊が起きないので、製品の歩留りを良くすることが可能となる。



従来、負イオンビーム用の負イオン源としては、アルカリ金属を触媒に使って負イオンを生成するアルカリ金属導入型負イオン源や磁気フィルター型負イオン源が開発されている。



しかし、上記アルカリ金属導入型負イオン源の場合には、そもそも半導体プロセスにはアルカリ金属が含まれないとの条件があり適用できないものであり、磁気フィルター型負イオン源の場合には、密度が薄く半導体プロセスのように高密度であるとの条件に適合しない等いずれも不十分であるという問題がある。

産業上の利用分野


本発明は半導体メモリーなどのプラズマエッチングに使用される大面積負イオン源に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
一方向に長く形成され内部を真空引きされる真空容器と、上記真空容器の外周に設けられ上記真空容器内の長手方向に沿って磁場を形成する磁場発生手段と、上記真空容器内に負性ガスを供給する供給手段と、上記真空容器内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、上記真空容器内の後部側に配置され多数の孔が穿設された孔付き遮蔽板と、真空容器の終端に設けたグリッド状加速電極と、を具備したことを特徴とする大面積負イオン源。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2002181340thum.jpg
出願権利状態 登録
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