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パターン形成体の製造方法 コモンズ

国内特許コード P05A006995
整理番号 WASEDA-248
掲載日 2005年4月8日
出願番号 特願2003-098617
公開番号 特開2004-006779
登録番号 特許第4614631号
出願日 平成15年4月1日(2003.4.1)
公開日 平成16年1月8日(2004.1.8)
登録日 平成22年10月29日(2010.10.29)
優先権データ
  • 特願2002-100300 (2002.4.2) JP
発明者
  • 本間 敬之
出願人
  • 学校法人早稲田大学
発明の名称 パターン形成体の製造方法 コモンズ
発明の概要

【課題】本発明は、半導体表面に簡易なプロセスで、微細な構造のパターン形成が可能な電荷付与体、および微細なパターン形成体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入した歪み領域を有し、前記歪み領域から電荷が付与されることを特徴とする電荷付与体を提供することにより前記目的を達成するものである。
【選択図】   無し

従来技術、競合技術の概要
半導体の表面のパターン形成体は、一般的に電子デバイス等としてダイオード、トランジスタ、集積回路(IC)等に使用することが可能である。
【0003】
従来、このような半導体の表面へのパターン形成は、一般的にフォトリソグラフィー技術により形成されている。フォトリソグラフィー技術とは、ガラスマスク基板等の表面に形成されているパターンを、Si等の半導体基板表面にレジストパターンとして転写する方法であり、半導体の表面に、レジストを塗布することにより形成後、露光、現像し、エッチング処理後、レジスト除去をする工程であることが知られている。
【0004】
しかし、近年半導体デバイスの集積度を高めたり、動作を高速化するため、あるいは半導体の小型化のために、パターン形成加工の微細度を高めることが求められている。そのため、フォトリソグラフィー技術においては半導体の表面への微細なパターンの形成は、困難であった。
【0005】
そこで、マスクを必要とせず、電子線でレジスト膜を露光するEBリソグラフィー技術が利用されているが、この方法は、高精度である反面、描画速度が遅いという問題がある。
【0006】
また、どちらの方法においても、多くの工程が必要であり、そのための設備を必要とし、複雑であり、かつ高コストであった。
産業上の利用分野
本発明は、電子デバイス等として主に用いられる半導体の表面の電荷付与体および半導体の表面のパターン形成体に関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】 結晶性半導体表面の結晶格子に凹構造を導入し前記結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入した歪み領域を前記結晶性半導体表面に所定のパターン状に有する電荷付与体を洗浄し、前記歪み領域にて局所的に表面ポテンシャルをシフトさせる工程と、
洗浄された前記電荷付与体を所定の物質を含有する雰囲気に曝し、外部からのエネルギーの供給を必要とすることなく、前記歪み領域から電荷が付与され、前記歪み領域上のみに前記物質を含有するパターンを形成する工程と
を有し、前記電荷付与体の洗浄では、前記電荷付与体の表面に酸化膜が形成されるように洗浄した後、前記酸化膜が除去されるように洗浄することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
【請求項2】 導入される前記歪みの度合を調整し、前記表面ポテンシャルのシフト量を調整し、前記パターンの形成を制御することを特徴とする請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項3】 前記歪み領域において付与される電荷により化学反応が生じ、前記歪み領域上に前記化学反応により生じる前記物質を含有する反応物が析出することを特徴とする請求項または請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項4】 前記歪み領域において付与される電荷により吸着反応が生じ、前記歪み領域上に前記物質が吸着することを特徴とする請求項または請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項5】 前記歪み領域を、前記結晶性半導体表面に加えられた機械的処理により形成することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項6】 前記歪み領域を、前記結晶性半導体表面に粒子線照射をすることにより形成することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載のパターン形成体の製造方法。
産業区分
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
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