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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 51件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2016-035760 特開2017-152628 銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法、銅配線 NEW 2017/09/26 2017/09/26 茨城大学
2 特願2015-535332 WO2015033600 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス 2017/06/23 2017/06/23 科学技術振興機構(JST)
3 特願2015-561037 WO2015119217 伸縮性導電体およびその製造方法と伸縮性導電体形成用ペースト 新技術説明会 2017/06/23 2017/06/23 科学技術振興機構(JST)
4 特願2015-168227 特開2017-045897 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 2017/03/29 2017/06/30 早稲田大学(早大TLO)
5 特願2015-531725 特許第5999611号 トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 2017/03/15 2017/03/15 科学技術振興機構(JST)
6 特願2015-030433 特開2016-152378 前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法 2016/10/05 2016/11/30 北陸先端科学技術大学院大学
7 特願2015-183828 特開2016-164965 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置 新技術説明会 2016/10/05 2017/01/10 茨城大学
8 特願2014-214488 特開2016-079488 シリサイド膜の製造方法 2016/08/04 2016/08/25 生産技術研究奨励会
9 特願2002-207263 特許第3936970号 薄膜作製用スパッタ装置 新技術説明会 実績あり 2016/06/29 2016/06/29 山口TLO
10 特願2014-518707 WO2013180186 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法 コモンズ 新技術説明会 2016/02/18 2016/02/18 九州工業大学
11 特願2014-052727 特開2014-198716 新規有機電荷移動錯体及びその製造方法 新技術説明会 2015/12/16 2017/05/26 法政大学
12 特願2015-212450 特開2017-084981 グラフェンデバイスおよびその製造方法 コモンズ 2015/12/04 2017/08/22 名古屋工業大学
13 特願2013-257402 特開2015-115502 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 2015/09/01 2015/09/01 金沢大TLO
14 特願2014-256754 特開2015-159274 オーミック特性を改善したノーマリオフ型窒化物半導体電界効果トランジスタ コモンズ 新技術説明会 2015/02/02 2016/05/20 名古屋工業大学
15 特願2013-503464 特許第5942297号 ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス 2015/01/29 2016/07/12 科学技術振興機構(JST)
16 特願2012-184731 特開2014-041987 n+型Ge半導体層形成方法およびオーミック接触構造 新技術説明会 2014/04/03 2015/08/17 島根大学
17 特願2006-240867 特許第4756601号 電極触媒及び酵素電極 外国出願あり 2014/02/24 2017/01/05 京都大学
18 特願2012-124608 特許第5963191号 半導体集積回路装置及びその製造方法 2013/12/20 2016/08/10 茨城大学
19 特願2013-063891 特開2014-192208 フレキシブル配線基板及びその実装構造 コモンズ 2013/07/02 2015/08/21 信州大学
20 特願2012-280468 特許第5615894号 薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2013/06/12 2015/09/03 科学技術振興機構(JST)
21 特願2008-205198 特許第5187689号 ナノワイヤ構造体、ナノワイヤ結合体、およびその製造方法 コモンズ 2013/03/27 2013/05/02 関西大学
22 特願2009-030440 特許第5486821号 無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 コモンズ 新技術説明会 2013/03/27 2015/08/05 関西大学
23 特願2009-220867 特許第5377195号 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 コモンズ 2013/03/27 2014/08/04 関西大学
24 特願2012-283832 特開2014-127607 半導体変調素子 コモンズ 2013/03/06 2015/08/17 福井大学
25 特願2011-243007 特許第6048718号 紫外線受光素子 コモンズ 新技術説明会 2012/05/29 2017/04/06 名古屋工業大学
26 特願2010-541378 特許第5366270号 半導体集積回路装置及びその製造方法 新技術説明会 2012/05/21 2013/12/17 茨城大学
27 特願2010-107764 特許第5198506号 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/11/28 2015/09/11 科学技術振興機構(JST)
28 特願2010-107768 特許第5154603号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 2011/11/28 2015/09/11 科学技術振興機構(JST)
29 特願2010-501898 特許第5261475号 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 実績あり 2011/07/20 2013/08/21 科学技術振興機構(JST)
30 特願2008-208753 特許第5106313号 C12A7エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法 コモンズ 2011/07/08 2015/09/02 科学技術振興機構(JST)
31 特願2008-054671 特許第5360739号 電子素子とその製造方法 2011/07/07 2013/12/10 科学技術振興機構(JST)
32 特願2000-205941 特許第3531865号 超平坦透明導電膜およびその製造方法 2011/06/08 2015/09/09 科学技術振興機構(JST)
33 特願2008-121512 特許第5360528号 ギャップで分断された薄膜の製造方法、およびこれを用いたデバイスの製造方法 2011/03/31 2013/12/10 北陸先端科学技術大学院大学
34 特願2010-041036 特許第5476157号 P型半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置 2011/03/29 2015/08/12 四国TLO
35 特願2010-052158 特許第5586045号 硫化物薄膜デバイスの製造方法 新技術説明会 2010/07/09 2015/08/11 長野工業高等専門学校
36 特願2008-270238 特許第5483228号 導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜及び導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の製造方法 新技術説明会 2010/05/14 2016/10/13 東京理科大学
37 特願2006-514112 特許第4815603号 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置 新技術説明会 外国出願あり 2009/12/25 2011/11/25 山梨大学
38 特願2007-012113 特許第4257437号 薄膜電極の製造方法 2008/08/15 2008/08/14 長岡技術科学大学
39 特願2006-247604 特許第4911586号 積層構造、超LSI配線板及びそれらの形成方法 コモンズ 2008/05/02 2012/04/23 早稲田大学(早大TLO)
40 特願2003-042270 特許第4009719号 ニッケルシリサイド膜の作製方法 コモンズ 2008/03/10 2013/04/25 名古屋大学
41 特願2004-051790 特許第3879003号 シリサイド膜の作製方法 コモンズ 外国出願あり 2008/03/10 2012/04/17 名古屋大学
42 特願2006-222021 特許第4931196号 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法 コモンズ 2007/09/07 2012/05/18 早稲田大学(早大TLO)
43 特願2003-403597 特許第4288347号 マイクロ・ナノパターン構造体及びその製造方法 2007/07/27 2013/04/26 名古屋工業大学
44 特願2003-295293 特許第3950969号 分子ワイヤの製造方法および分子ワイヤ コモンズ 2007/05/25 2013/04/26 静岡大学
45 特願2005-121593 特許第4288353号 可変インダクタ 新技術説明会 2006/11/10 2012/04/19 群馬大学
46 特願2005-024545 特許第4617460号 DNAを用いた透明電極の作製方法 2006/08/18 2012/04/18 北海道大学
47 特願2004-141177 特許第4810650号 カーボンナノチューブFET コモンズ 2006/02/16 2012/04/16 名古屋大学
48 特願2003-098617 特許第4614631号 パターン形成体の製造方法 コモンズ 2005/04/08 2011/01/21 早稲田大学(早大TLO)
49 特願2002-198369 特許第3733424号 ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法 コモンズ 2004/04/28 2013/04/25 科学技術振興機構(JST)
50 特願2002-130561 特許第3876307号 素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造 コモンズ 2004/01/23 2013/04/24 科学技術振興機構(JST)
51 特願平10-077140 特許第2884083号 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス コモンズ 外国出願あり 2003/08/28 2012/05/09 静岡大学

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