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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 10件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2016-542556 特許第6230204号 記憶回路 UPDATE 2017/09/06 2017/11/21 科学技術振興機構(JST)
2 特願2009-530030 特許第5170706号 スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路 2016/03/10 2017/04/06 科学技術振興機構(JST)
3 特願2009-078082 特許第5234547号 電子回路 2016/03/10 2017/05/08 科学技術振興機構(JST)
4 特願2013-521330 特許第5312715号 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路 2016/03/10 2017/10/13 科学技術振興機構(JST)
5 特願2013-540169 特許第5479656号 記憶回路 2016/03/10 2017/04/06 科学技術振興機構(JST)
6 特願2012-076414 特開2013-206512 半導体記憶装置 新技術説明会 2013/10/16 2013/11/13 九州工業大学
7 特願2011-178591 特許第5765808号 抵抗変化型不揮発性記憶素子の多値書き込み回路 UPDATE 2012/01/04 2017/10/24 金沢大TLO
8 特願2003-118596 特許第3893463号 キャッシュメモリ、及びキャッシュメモリの電力削減方法 2011/03/07 2017/05/10 九州工業大学
9 特願2007-095928 特許第4411443号 SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム コモンズ 実績あり 外国出願あり 2009/11/20 2017/05/10 九州工業大学
10 特願2004-331688 特許第3845734号 不揮発性メモリ 2006/07/07 2017/04/06 金沢大TLO

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