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※未公開特許出願は対象外です。


該当件数 29件

No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2016-086074 特開2017-193770 Ru成膜方法、Ru成膜装置、金属成膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造 NEW 2017/11/21 2017/11/21 茨城大学
2 特願2016-035760 特開2017-152628 銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法、銅配線 UPDATE 2017/09/26 2017/11/21 茨城大学
3 特願2015-183828 特開2016-164965 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置 新技術説明会 2016/10/05 2017/01/10 茨城大学
4 特願2014-211318 特開2016-081261 半導体集積回路の配線構造設計装置 コモンズ 2014/12/01 2016/08/25 名古屋工業大学
5 特願2014-184766 特開2016-058592 金属配線と絶縁層との密着強度の改善する方法 コモンズ 2014/11/04 2016/08/04 名古屋工業大学
6 特願2010-525664 特許第5575648号 クラスタ噴射式加工方法 外国出願あり 2014/02/24 2015/08/12 京都大学
7 特願2012-124608 特許第5963191号 半導体集積回路装置及びその製造方法 2013/12/20 2016/08/10 茨城大学
8 特願2011-197115 特許第5773491号 ナノ接合素子およびその製造方法 2013/04/04 2015/10/09 北海道大学
9 特願2008-205198 特許第5187689号 ナノワイヤ構造体、ナノワイヤ結合体、およびその製造方法 コモンズ 2013/03/27 2013/05/02 関西大学
10 特願2009-030440 特許第5486821号 無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 コモンズ 新技術説明会 2013/03/27 2015/08/05 関西大学
11 特願2009-220867 特許第5377195号 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、及び埋め込み配線の形成方法 コモンズ 2013/03/27 2014/08/04 関西大学
12 特願2011-030514 特許第5754702号 半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路装置用バリア材 新技術説明会 2013/03/11 2015/09/02 茨城大学
13 特願2010-541378 特許第5366270号 半導体集積回路装置及びその製造方法 新技術説明会 2012/05/21 2013/12/17 茨城大学
14 特願2010-107764 特許第5198506号 機能性デバイスの製造方法並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 2011/11/28 2015/09/11 科学技術振興機構(JST)
15 特願平11-111478 特許第4298842号 金属配線の信頼性評価装置及び方法、並びに金属配線の信頼性評価のためのプログラムを格納した記録媒体 2011/07/22 2013/04/18 弘前大学
16 特願2010-090578 特許第5618599号 パターンの形成方法 2011/07/14 2015/09/03 科学技術振興機構(JST)
17 特願2005-065947 特許第4505568号 被覆型ヘテロ芳香環化合物 2011/06/21 2012/04/18 科学技術振興機構(JST)
18 特願2011-022414 特許第5747406号 金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 新技術説明会 2011/05/09 2015/09/02 茨城大学
19 特願2011-002490 特許第5187705号 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス 2011/02/10 2015/09/10 科学技術振興機構(JST)
20 特願2006-514112 特許第4815603号 超臨界流体又は亜臨界流体を用いた酸化物薄膜、又は金属積層薄膜の成膜方法、及び成膜装置 新技術説明会 外国出願あり 2009/12/25 2011/11/25 山梨大学
21 特願2009-077629 特許第5057176号 金属配線評価用パターン、半導体装置及び評価方法 コモンズ 2009/04/17 2015/09/03 科学技術振興機構(JST)
22 特願2007-106945 特許第5370979号 半導体集積回路の製造方法 新技術説明会 2008/11/07 2013/12/25 茨城大学
23 特願2006-247604 特許第4911586号 積層構造、超LSI配線板及びそれらの形成方法 コモンズ 2008/05/02 2012/04/23 早稲田大学(早大TLO)
24 特願2005-072030 特許第4710002号 膜の製造方法 2007/08/31 2012/04/18 東京農工大学
25 特願2003-403597 特許第4288347号 マイクロ・ナノパターン構造体及びその製造方法 2007/07/27 2013/04/26 名古屋工業大学
26 特願2005-124734 特許第4608613号 レーザー照射微細加工方法 2007/01/29 2012/04/19 九州工業大学
27 特願2004-100093 特許第4515131号 多層構造配線のEM損傷による原子濃度分布評価システム コモンズ 新技術説明会 2005/11/11 2005/11/08 科学技術振興機構(JST)
28 特願2002-198369 特許第3733424号 ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法 コモンズ 2004/04/28 2013/04/25 科学技術振興機構(JST)
29 特願2000-227023 特許第3579332号 表面に保護膜を有する配線構造の損傷予測方法および装置 コモンズ 新技術説明会 2003/08/28 2015/08/28 科学技術振興機構(JST)

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