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注目の特許

疑似スピンMOSFETを用いた超低消費電力集積回路アーキテクチャ

No. 出願番号 公報番号 出願国 発明の名称 掲載日 更新日
1 特願2003-086145 特許第4477305号 日本 スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2008/01/11 2015/09/10
2 特願2005-504130 特許第4143644号 日本 スピン依存伝達特性を有するトランジスタを用いた再構成可能な論理回路 2011/06/23 2011/06/23
3 特願2005-504240 特許第4500257号 日本 スピン依存伝達特性を有するトンネルトランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2011/06/23 2011/06/23
4 特願2007-509157 特許第4574674号 日本 論理回路および単電子スピントランジスタ 2011/07/06 2015/09/02
5 特願2007-078925 特許第4742276号 日本 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法 2016/03/10 2016/03/10
6 特願2009-530030 特許第5170706号 日本 スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路 2016/03/10 2016/03/10
7 特願2009-078082 特許第5234547号 日本 電子回路 2016/03/10 2016/03/10
8 特願2013-521330 特許第5312715号 日本 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路 2016/03/10 2016/03/10
9 特願2013-540169 特許第5479656号 日本 記憶回路 2016/03/10 2016/03/10
10 03771333 1555694 欧州特許庁(EPO) SPIN TRANSISTOR USING SPIN FILTER EFFECT AND NONVOLATILE MEMORY USING SPIN TRANSISTOR 2011/07/07 2012/03/06
11 04704734 1603168 欧州特許庁(EPO) FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SPIN-DEPENDENT TRANSMISSION CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY USING SAME 2011/07/07 2011/07/07
12 04724405 1610386 欧州特許庁(EPO) TUNNEL TRANSISTOR HAVING SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY USING SAME 2011/07/07 2011/07/07
13 102117352 I508063 台湾 Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element 2014/08/18 2015/11/27
14 102117351 201411618 台湾 Memory circuit 2014/08/18 2015/09/29
15 54784404 07528428 アメリカ合衆国 Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same 2011/09/05 2011/09/05
16 52224105 07423327 アメリカ合衆国 Spin transistor based on the spin-filter effect and a non-volatile memory using spin transistors 2011/09/05 2011/09/05
17 55180205 07397071 アメリカ合衆国 Tunnel transistor having spin-dependent transfer characteristics and non-volatile memory using the same 2011/09/05 2011/09/05
18 88656406 07851877 アメリカ合衆国 Logic circuit and single-electron spin transistor 2011/06/29 2011/06/29
19 2008JP063787 WO 2009/028298 世界知的所有権機関(WIPO) NONVOLATILE SRAM/LATCH CIRCUIT USING SPIN-INJECTION MAGNETIZATION REVERSAL MTJ - -

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