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注目の特許

疑似スピンMOSFETを用いた超低消費電力集積回路アーキテクチャ

No. 出願番号 公報番号 出願国 発明の名称 掲載日 更新日
1 特願2003-086145 特許第4477305号 日本 スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2008/01/11 2015/09/10
2 特願2005-504130 特許第4143644号 日本 スピン依存伝達特性を有するトランジスタを用いた再構成可能な論理回路 2011/06/23 2011/06/23
3 特願2005-504240 特許第4500257号 日本 スピン依存伝達特性を有するトンネルトランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2011/06/23 2011/06/23
4 特願2007-509157 特許第4574674号 日本 論理回路および単電子スピントランジスタ 2011/07/06 2015/09/02
5 特願2007-078925 特許第4742276号 日本 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法 2016/03/10 2016/03/10
6 特願2009-530030 特許第5170706号 日本 スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路 2016/03/10 2016/03/10
7 特願2009-062278 特許第5064429号 日本 スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2011/07/12 2015/09/03
8 特願2009-062281 特許第5064430号 日本 スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2011/07/12 2015/09/03
9 特願2009-078082 特許第5234547号 日本 電子回路 2016/03/10 2016/08/25
10 特願2009-184749 特許第5121793号 日本 スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2011/07/12 2015/09/03
11 特願2012-209700 特許第5451840号 日本 スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ 2013/01/30 2015/09/11
12 特願2013-521330 特許第5312715号 日本 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路 2016/03/10 2016/03/10
13 特願2013-540169 特許第5479656号 日本 記憶回路 2016/03/10 2016/03/10
14 200710169692 101202302 中華人民共和国 Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors 2011/07/21 2012/09/25
15 03771333 1555694 欧州特許庁(EPO) SPIN TRANSISTOR USING SPIN FILTER EFFECT AND NONVOLATILE MEMORY USING SPIN TRANSISTOR 2011/07/07 2012/03/06
16 04704734 1603168 欧州特許庁(EPO) Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristic with half-metal source and drain 2011/07/07 2017/01/19
17 04724405 1610386 欧州特許庁(EPO) TUNNEL TRANSISTOR HAVING SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY USING SAME 2011/07/07 2011/07/07
18 20057001401 100977829 大韓民国 SPIN TRANSISTOR USING SPIN FILTER EFFECT AND NONVOLATILE MEMORY USING SPIN TRANSISTOR 2011/07/22 2011/09/22
19 20057016587 100681379 大韓民国 Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristic and nonvolatile memory using same 2011/07/22 2016/11/14
20 20057018609 100737030 大韓民国 Tunnel transistor having spin-dependent transfer characteristic and nonvolatile memory using same 2011/07/22 2016/11/14
21 92120200 I310184 台湾 Spin transistors based on spin filter effects and nonvolatile memory using the spin transistors 2011/12/15 2011/12/15
22 93101700 I317987 台湾 Field- effect transistors with spin- dependent output characteristics and their nonvolatile memory applications 2011/12/15 2011/12/15
23 93108802 I311812 台湾 Tunnel transistors with spin-dependent output characteristics and their nonvolatile memory applications 2011/12/15 2011/12/15
24 102117351 201411618 台湾 Memory circuit 2014/08/18 2015/09/29
25 102117352 I508063 台湾 Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element 2014/08/18 2015/11/27
26 52224103 7423327 アメリカ合衆国 Spin transistor based on the spin-filter effect and a non-volatile memory using spin transistors 2011/09/05 2016/12/09
27 55180204 7397071 アメリカ合衆国 Tunnel transistor having spin-dependent transfer characteristics and non-volatile memory using the same 2011/09/05 2016/12/09
28 54784404 07528428 アメリカ合衆国 Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same 2011/09/05 2011/09/05
29 97922007 07825485 アメリカ合衆国 Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors 2011/09/05 2011/09/05
30 97922107 07671433 アメリカ合衆国 Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors 2011/09/05 2011/09/05
31 88656406 07851877 アメリカ合衆国 Logic circuit and single-electron spin transistor 2011/06/29 2011/06/29
32 38245509 08097909 アメリカ合衆国 Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same 2011/09/05 2012/01/26
33 92345010 08026563 アメリカ合衆国 Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors 2011/09/05 2011/10/05
34 2008JP063787 WO 2009/028298 世界知的所有権機関(WIPO) NONVOLATILE SRAM/LATCH CIRCUIT USING SPIN-INJECTION MAGNETIZATION REVERSAL MTJ - -

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